[发明专利]填隙方法

权利要求书

1.一种填隙方法，所述方法包括：

(a)提供半导体衬底，在所述衬底的表面上具有凸纹图像，所述凸纹图像包括多个有待填充的间隙，其中所述间隙的宽度是50nm或低于50nm；

(b)在所述凸纹图像上施加填隙组合物，其中所述填隙组合物包含：含可交联基团的第一聚合物、含发色团的第二聚合物，其中所述第一聚合物与所述第二聚合物不同；交联剂；酸催化剂；及溶剂，其中所述填隙组合物是安置在所述间隙中；

(c)在一定温度下加热所述填隙组合物以使所述第一聚合物自交联和/或与所述第二聚合物交联以形成交联聚合物；

(d)在包含所述交联聚合物填充的间隙的所述衬底上形成光致抗蚀剂层；

(e)使所述光致抗蚀剂层逐图案曝露于活化辐射；以及

(f)使所述光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案，

其中所述第二聚合物包括以下通式(III)的单元：

其中R₄选自氢、氟、C₁-C₃烷基及C₁-C₃氟烷基；并且R₅选自任选取代的苯基、苯甲基、

所述第一聚合物包含具有以下通式(I)的单元：

其中：R₁选自氢、氟、C₁-C₃烷基及C₁-C₃氟烷基；并且R₂选自：任选取代的C₁至C₁₂直链、分支链或环状烷基；以及任选地含有杂原子的任选取代的C₆至C₁₅芳基；其中R₁和/或R₂上的至少一个氢原子被可交联官能团取代。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一聚合物和/或所述第二聚合物的重量平均分子量Mw是3000至6000。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述间隙的纵横比是2或大于2。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述间隙的宽度是15nm或低于15nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述可交联基团包含独立地选自羟基、羧基、硫醇、胺、环氧基、烷氧基、酰胺及乙烯基的官能团。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述发色团选自任选取代的苯甲基、苯基、萘基及蒽基。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述逐图案曝露是在193nm或248nm的曝光波长下进行。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述第一聚合物包含具有以下通式(II)的单元：

其中R₃选自氢、氟、C₁-C₃烷基及C₁-C₃氟烷基；并且Ar₁是任选取代的芳基，其中R₃和/或Ar₁上的至少一个氢原子被可交联官能团取代。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述第一聚合物与所述第二聚合物的重量比是2:1至4:1。