[发明专利]一种氮化硅微米管制造方法有效
申请号: | 201510388039.X | 申请日: | 2015-07-03 |
公开(公告)号: | CN105047920B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 汤自荣;胡浩;龙胡;龚渤;史铁林 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01M4/58 | 分类号: | H01M4/58;H01M4/136;H01M10/0525;C01B21/068 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人: | 曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 微米 制造 方法 | ||
1.一种氮化硅微米管制造方法,该方法包括下述步骤:
第1步 将去除保护层的光纤表面涂覆一层均匀的石墨粉后在300~600℃的温度区间内热解,使光纤表面形成一层均匀厚度的碳膜;
第2步 将表面覆盖一层碳膜的光纤在氮气条件下以1100~1600℃的温度区间高温加热,使光纤表面的碳膜与光纤表面的二氧化硅产生反应生成硅,然后生成的硅与氮气发生反应在光纤表面形成氮化硅薄膜;
第3步 将形成氮化硅薄膜的光纤刻蚀掉,形成中空的氮化硅微米管。
2.权利要求1所述的氮化硅微米管制造方法,其特征在于,将第3步得到的氮化硅微米管与炭黑按质量比例是6:1到10:1进行混合,使氮化硅微米管增强导电性,然后在其中加入热熔型粘结剂形成混合物,再将混合物均匀涂在洗净的铜箔表面,待粘结剂干燥后得到氮化硅微米管组成的硅负极材料。
3.根据权利要求1或2所述的氮化硅微米管制造方法,其特征在于,第3步中刻蚀使用的是由氟化氢和氟化氨以体积比为1:4到1:8混合而成的刻蚀液。
4.根据权利要求2所述的氮化硅微米管制造方法,其特征在于,所述热熔型粘结剂与炭黑的质量比是2:1到1:2。
5.一种制备锂电池负电极的方法,该方法包括下述步骤:
第1步 将去除保护层的光纤表面涂覆一层均匀的石墨粉后在300~600℃的温度区间内热解,使光纤表面形成一层均匀厚度的碳膜;
第2步 将表面覆盖一层碳膜的光纤在氮气条件下以1100~1600℃的温度区间高温加热,使光纤表面的碳膜与光纤表面的二氧化硅产生反应生成硅,然后生成的硅与氮气发生反应在光纤表面形成氮化硅薄膜;
第3步 将形成氮化硅薄膜的光纤刻蚀掉,形成中空的氮化硅微米管;
第4步 将氮化硅微米管与炭黑按质量比例是6:1到10:1进行混合,使氮化硅微米管增强导电性,再在其中加入热熔型粘结剂形成混合物;
第5步 将混合物均匀涂在洗净的铜箔表面,待粘结剂干燥后得到氮化硅微米管组成的硅负极材料。
6.根据权利要求5所述的制备锂电池负电极的方法,其特征在于,第3步中刻蚀使用的是由氟化氢和氟化氨以体积比为1:4到1:8混合而成的刻蚀液。
7.根据权利要求5所述的制备锂电池负电极的方法,其特征在于,所述热熔型粘结剂与炭黑的质量比是2:1到1:2。
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