[发明专利]高接合转移率的希瓦氏菌WP3菌株及其构建方法和应用有效
申请号: | 201510388165.5 | 申请日: | 2015-07-03 |
公开(公告)号: | CN105002129B | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 王风平;熊磊;蹇华哗 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学;中国大洋矿产资源研究开发协会 |
主分类号: | C12N1/21 | 分类号: | C12N1/21;C12N15/70 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中;陈少凌 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 菌株 限制酶基因 转移率 构建 出发菌株 缺失菌株 接合 克隆子 敲除 基因组DNA片段 基因组改造 基因工程 全基因组 设计基因 深海细菌 同源重组 相关基因 修饰系统 转移效率 阳性率 一次性 预测 引物 工作量 应用 交换 删除 筛选 | ||
1.一种高接合转移效率的耐压希瓦氏菌(Shewanella piezotolerans)WP3菌株的构建方法,其特征在于,包括如下步骤:
以WP3ΔSW1为出发菌株,敲除限制内切酶基因,相应获得高接合转移率的菌株;
所述方法具体包括以下步骤:
步骤一,对深海细菌希瓦氏菌WP3全基因组限制-修饰系统相关基因进行预测;
步骤二,对预测到的三个限制内切酶基因分别设计基因敲除引物;
步骤三,以WP3ΔSW1为出发菌株,依次敲除所述的三个限制内切酶基因,相应获得限制内切酶基因缺失菌株Δsw1Δswp840、Δsw1Δswp840Δswp2190、Δsw1Δswp840Δswp2190Δswp9,所述限制内切酶基因缺失菌株即为高接合转移率的菌株;
其中,步骤二中,所述三个限制内切酶基因分别为swp0009基因、swp840基因、swp2190基因;
步骤二中,基因敲除引物中所述swp0009基因的敲除引物为:上游引物如SEQ ID No.1和SEQ ID No.2所示,下游引物如SEQ ID No.3和SEQ ID No.4所示;
步骤二中,基因敲除引物中所述swp840基因的敲除引物为:上游引物如SEQ ID No.5和SEQ ID No.6所示,下游引物如SEQ ID No.7和SEQ ID No.8所示;
步骤二中,基因敲除中所述swp2190基因的敲除引物为:上游引物如SEQ ID No.9和SEQID No.10所示,下游引物如SEQ ID No.11和SEQ ID No.12所示。
2.根据权利要求1所述的高接合转移效率的耐压希瓦氏菌(Shewanellapiezotolerans)WP3菌株的构建方法,其特征在于,步骤三中,所述敲除具体包括如下步骤:
(1)PCR扩增所述限制内切酶基因上下游同源臂,通过融合PCR获得大片段;
(2)连接所述大片段与自杀质粒得重组质粒,将所述重组质粒转化到供体菌E.coliWM3064;
(3)供体菌E.coli WM3064与受体菌WP3ΔSW1进行细菌接合转移实验;
(4)单交换克隆子及双交换克隆子的筛选、鉴定,即得1个限制内切酶基因缺失的菌株;
(5)以所述1个限制内切酶基因缺失的菌株为受体菌,重复步骤(1)至(4),依次进行第2、3个限制内切酶基因的敲除,即可获得2个限制内切酶基因缺失的菌株、3个限制内切酶基因缺失的菌株。
3.根据权利要求2所述的高接合转移效率的耐压希瓦氏菌(Shewanellapiezotolerans)WP3菌株的构建方法,其特征在于,步骤(2)中,所述自杀质粒为pRE112。
4.根据权利要求2所述的高接合转移效率的耐压希瓦氏菌(Shewanellapiezotolerans)WP3菌株的构建方法,其特征在于,步骤(4)中,所述筛选具体指通过含氯霉素的抗性平板筛选。
5.根据权利要求2所述的高接合转移效率的耐压希瓦氏菌(Shewanellapiezotolerans)WP3菌株的构建方法,其特征在于,步骤(4)中,所述鉴定具体指设计如SEQID No.13和SEQ ID No.14所示的引物进行PCR鉴定。
6.一种如权利要求1所述的构建方法获得的高接合转移效率的耐压希瓦氏菌(Shewanella piezotolerans)WP3菌株作为基因工程菌在基因组大片段删除方面的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学;中国大洋矿产资源研究开发协会,未经上海交通大学;中国大洋矿产资源研究开发协会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510388165.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。