[发明专利]一种有机电致发光器件有效
申请号: | 201510389182.0 | 申请日: | 2015-07-03 |
公开(公告)号: | CN104966786B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 范洪涛;汤金明;任雪艳 | 申请(专利权)人: | 固安鼎材科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 | ||
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件技术领域,特别是一种由两种材料掺杂构成空穴传输层的有机电致发光器件。
背景技术
有机电致发光器件OLED的发光层主要采用全荧光材料、全磷光材料或荧光材料和磷光材料混合的方式进行制作。对有机电致发光元件施加电压时,来自阳极、阴极的空穴和电子分别被注入,被注入的空穴和电子在发光层内发生重组而生成激子。其自旋状态中,单重态激子为25wt%、三重态激子为75wt%。以往已知的荧光元件中,单重态激子在基态弛豫时会发出光,而剩余的三重态激子则不会发光而经由热失活过程返回至基态。然而,根据S.M.Bachilo等(J.Phys.Cem.A,104,7711(2000)),最初生成的75wt%的三重态激子中,1/5会变为单重态激子。
TTF(Triplet-Triplet Fusion,三线态-三线态融合)现象是指由三重态激子的碰撞聚变而生成单重态激子的现象,若利用该TTF现象,则不仅最初生成的25wt%的单重态激子,由三重态激子的碰撞聚变而生成的单重态激子也可利用于发光,从而可提高元件的发光效率。
为了有效地引起TTF现象,需要将与单重态激子相比激子寿命显著延长的三重态激子限域于发光层内。目前利用TTF现象来实现有机电致发光器件的高效发光的研究主要集中在发光主体、发光染料以及发光层与电子传输层之间的阻隔层等方面,通过对这些材料的设计,能够有效的产生TTF现象。但是由于在目前蓝色荧光的应用上多采用的是蒽类衍生物主体,导致发光区域更靠近空穴传输层一侧,所以在空穴传输层一侧增加三线态激子阻挡层就变得很有必要。一般来说,由于空穴传输层材料的三线态能级高于蒽类蓝光主体,所以空穴传输层会对蒽类蓝光主体的三线态激子有一定的阻挡作用。但是由于空穴传输材料的HOMO能级高于蓝光发光主体材料,导致两者会形成低能量的激基复合物,从而导致效率降低。
在已公开的关于多层的空穴传输层的专利中,如CN201010281439.8,CN201310002065.5,CN201310186916.6,CN201010597815.4,都是利用多层空穴传输层来改善空穴传输,阻挡电子,使空穴电子更平衡,以达到提高效率和改善寿命的目的,但均未提及TTF现象,也未对空穴传输层的单线态能级搭配和三线态能级给出限制;在已公开的关于TTF的相关专利中,如CN201180003302,CN201280007957,CN201180002877,CN201180002920,CN201180003216等专利中,其采用的空穴传输材料的HOMO能级与发光主体材料的LUMO能级差别较大(空穴传输材料的HOMO能级大于发光主体材料的LUMO能级),两种材料之间就会形成激基复合物,而形成的激基复合物的能量会低于发光染料的能量,就会使发光染料的能量向激基复合物传递,造成染料的发光效率降低。
发明内容
为此,本发明所要解决的技术问题在于现有技术中不能有效地引起TTF现象的问题,进而提供一种有机电致发光器件,其空穴传输层能够有效地引起TTF现象,进而带来器件的功耗明显降低,效率大为提高的有益效果。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种有机电致发光器件,包括基板,以及依次形成在所述基板上的第一电极层、若干个发光单元层和第二电极层,所述的发光单元层包括依次设置在所述第一电极层上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层,所述空穴传输层包括第一空穴传输材料和第二空穴传输材料,所述第二空穴传输材料小于所述第一空穴传输材料的HOMO能级,且所述第二空穴传输材料与发光主体材料的HOMO能级差≤0.2eV;
第一空穴传输材料和第二空穴传输材料均高于发光主体材料的三线态能级ET。
所述第二空穴传输材料在第一空穴传输材料中的掺杂比例为0.1wt%-10000wt%,优选为1wt%-1000wt%,最优选为20wt%-300wt%。
所述空穴传输层(3)的厚度为20-40nm,优选为30nm。
所述第一空穴传输材料为芳胺类和枝聚物族类低分子材料。
所述第一空穴传输材料为N,N’-二-(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1-联苯基-4,4-二胺(NPB)或N,N’-二苯基-N,N’-双(间甲基苯基)-1,1’-联苯基-4,4’-二胺(TPD)。
所述第二空穴传输材料为式HTM2-1和式HTM2-2所示结构:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于固安鼎材科技有限公司,未经固安鼎材科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510389182.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择