[发明专利]具有超声波焊接的端子的半导体模块

权利要求书

1.半导体模块（10），其包括：

底板（12）；

所述底板（12）上的衬底（14），所述衬底在至少一侧上具有金属部（28）并且承载至少一个半导体芯片（24）；

壳体（16），所述壳体固定在底板（12）处并且至少部分包围所述衬底（14）；

至少一个端子（34），所述端子在另一末端具有端子足部（36），所述端子足部借助于超声波焊接固定于所述金属部（28）的连接点（38）；

其中所述壳体（16）具有保护壁（42），所述保护壁围绕端子（34）并且将所述壳体（16）的内部空间（22）分割成未保护区域（46）和保护区域（44）；

其中这样构造所述保护壁（42），即在所述衬底（14）和所述保护壁（42）之间构成缝隙（48），所述缝隙实施为用于这样引导气流（60）：阻挡在将端子足部（36）超声波焊接到连接点（38）上时形成的颗粒从所述未保护区域（46）穿入所述保护区域（44）。

2.根据权利要求1所述的半导体模块（10），其中所述壳体（16）具有进入开口（52），所述进入开口通进所述保护区域（44），通过所述进入开口气体能够吹进所述保护区域（44）。

3.根据权利要求2所述的半导体模块（10），其中所述进入开口（52）由壳体嵌入件（54）封闭。

4.根据权利要求1所述的半导体模块（10），其中所述壳体（16）具有排出开口（40），所述排出开口经由通过所述保护壁（42）构成的通道（50）进入所述未保护区域（46）和/或进到端子足部（36）。

5.根据权利要求4所述的半导体模块（10），其中所述排出开口（40）由壳体嵌入件（54）封闭。

6.根据权利要求4或5所述的半导体模块（10），其中所述端子（34）从所述排出开口（40）突出。

7.根据上述权利要求1-5中任一项所述的半导体模块（10），其中所述壳体（16）完全围绕除了所述壳体（16）进入开口（52）以外的所述保护区域（44）。

8.根据上述权利要求1-5中任一项所述的半导体模块（10），其中所述壳体（16）具有盖板（20），所述盖板经由所述壳体（16）的侧壁（18）固定到底板（12）处；

其中所述保护壁（42）与所述盖板（20）连接并且伸入所述壳体（16）的内部空间（22）中。

9.根据权利要求8所述的半导体模块（10），其中在所述盖板（20）中设置排出开口（40）和/或进入开口（52）。

10.根据上述权利要求1-5中任一项所述的半导体模块（10），其中半导体芯片（24）和/或没有金属部（28）的衬底（16）的暴露区域（30）布置在所述保护区域（44）中。

11.根据上述权利要求1-5中任一项所述的半导体模块（10），其中所述缝隙（48）具有0.2至4倍于端子足部（36）的厚度。

12.根据上述权利要求11所述的半导体模块（10），其中所述缝隙（48）具有0.4至2倍于所述端子足部（36）的厚度。

13.根据上述权利要求1-5中任一项所述的半导体模块（10），其中多于一个端子（34）由所述保护壁（42）围绕。

14.根据上述权利要求1-5中任一项所述的半导体模块（10），其中所述端子（34）在从所述壳体（16）突出的末端处弯曲并且包围所述壳体（16）。