[发明专利]ITO薄膜溅射靶材的清洁方法在审
申请号: | 201510391872.X | 申请日: | 2015-07-06 |
公开(公告)号: | CN105057235A | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 耿国凌;由龙;陈帅;王洪浜;邹威 | 申请(专利权)人: | 山东金鼎电子材料有限公司 |
主分类号: | B08B1/00 | 分类号: | B08B1/00;B08B5/04;C23C14/34;B24B27/033 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 陈双喜 |
地址: | 271100 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ito 薄膜 溅射 清洁 方法 | ||
1.一种ITO薄膜溅射靶材的清洁方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)清除大颗粒物:采用吸尘器将溅射成膜过程中沉落到靶材溅射面的大颗粒物吸除干净,得到A;
(2)砂纸打磨:采用相应目数的砂纸对靶材A的溅射面进行打磨,打磨方向顺应靶材溅射面形成有的跑道的方向,同时将位于跑道中间表面泛黄的氧化层打磨干净,去除溅射面的氧化物和杂质,得到B;
(3)清洁除尘:采用吸尘器将靶材B的溅射面上由于砂纸打磨而产生的颗粒物和灰尘吸除干净,得到C;
(4)擦拭清洁:采用无尘布蘸取少量酒精对靶材C的溅射面进行擦拭清洁,除去没有完全吸除的灰尘;
(5)重复步骤(4),直至无尘布表面只有轻微变色。
2.根据权利要求1所述的ITO薄膜溅射靶材的清洁方法,其特征在于:所述靶材为ITO靶材和Si靶材。
3.根据权利要求2所述的ITO薄膜溅射靶材的清洁方法,其特征在于:所述ITO靶材选用>150目的砂纸进行打磨,所述Si靶材选用>30目的砂纸进行打磨。
4.根据权利要求3所述的ITO薄膜溅射靶材的清洁方法,其特征在于:所述ITO靶材选用>200目的砂纸进行打磨,所述Si靶材选用>60目的砂纸进行打磨。
5.根据权利要求1所述的ITO薄膜溅射靶材的清洁方法,其特征在于:所述吸尘器为KARDV吸尘器。
6.根据权利要求1所述的ITO薄膜溅射靶材的清洁方法,其特征在于:所述无尘布的洁净等级为1000级以下。
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