[发明专利]一种PMOS管衬底切换电路

权利要求书

1.一种PMOS管衬底切换电路，其特征在于，所述PMOS管衬底切换电路至少包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、弱下拉器件、第一电压输入端、第二电压输入端以及衬底电压输出端；

所述第一PMOS管的漏端与第二PMOS管的漏端连接至衬底电压输出端；

所述第一PMOS管的栅端与第三PMOS管的漏端相连，并通过所述弱下拉器件与地连接；

所述第一PMOS管的源端、第二PMOS管的栅端和第三PMOS管的栅端均与所述第一电压输入端相连；

所述第二PMOS管的源端和第三PMOS管的源端均与所述第二电压输入端相连。

2.根据权利要求1所述的PMOS管衬底切换电路，其特征在于：所述弱下拉器件为电流源器件或者电阻。

3.根据权利要求2所述的PMOS管衬底切换电路，其特征在于：所述电流源器件为NMOS管。

4.根据权利要求1所述的PMOS管衬底切换电路，其特征在于：所述第一PMOS管和第二PMOS管用于实现衬底电压输出端的电压切换，所述第三PMOS管用于实现第一电压输入端和第二电压输入端的电位检测以及第一PMOS管栅端电位的切换。

5.根据权利要求1所述的PMOS管衬底切换电路，其特征在于：所述弱下拉器件用于实现第一PMOS管栅端电位的弱下拉。

6.根据权利要求1所述的PMOS管衬底切换电路，其特征在于：所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的阈值电压为Vth，第一电压输入端的电压为VDD，第二电压输入端的电压为VPP，当VPP<VDD+Vth时，衬底电压输出端的电压为VDD；当VPP>VDD+Vth时，衬底电压输出端的电压切换为VPP。