[发明专利]一种具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法，包括以下步骤：

步骤1.将氧化石墨烯和聚偏氟乙烯溶于有机溶剂中，超声并磁力搅拌得到分散均匀的制膜溶液，其中氧化石墨烯、聚偏氟乙烯及有机溶剂的质量百分比组成为：

氧化石墨烯：0.1-1wt％，

聚偏氟乙烯：5-10wt％，

有机溶剂：89-94wt％；

步骤2.将制膜溶液静置脱泡；

步骤3.采用旋涂法制备湿膜；

步骤4.在大气环境下热处理使薄膜干燥并结晶，即制备得具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜。

2.按权利要求1所述具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤1制备制膜溶液时，超声和磁力搅拌的过程中温度为27-60℃，超声时间为1～3小时，搅拌时间为1～4小时。

3.按权利要求1所述具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤2脱泡的条件为：室温条件下静置放置1～2小时。

4.按权利要求1所述具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤3采用旋涂法制备湿膜过程中，低速为500转/分、时间为10秒，高速为1500-5000转/分、时间为20～60秒。

5.按权利要求1所述具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤4热处理条件为：温度为50～75℃，时间为12～24小时。

6.按权利要求1所述具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法，其特征在于，所选有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺。

7.按权利要求1至6任一所述具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法制备得具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜的膜厚为100～500nm，薄膜的晶粒直径为3～5μm。