[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201510393392.7 申请日: 2015-07-07
公开(公告)号: CN104950490A 公开(公告)日: 2015-09-30
发明(设计)人: 黄德群;黄国有;徐文义;林敬舜 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1362;G02F1/1333
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 液晶 显示装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管液晶显示装置的制造方法,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:

形成一第一金属层于一基板上,该第一金属层经蚀刻用以定义薄膜晶体管的栅极;

形成一栅极绝缘层于所述第一金属层的上方;

形成一非晶硅层于所述栅极绝缘层的上方且与所述栅极正对设置;

形成一第二金属层于所述非晶硅层的上方,该第二金属层经蚀刻用以定义该薄膜晶体管的源极和漏极;

形成一第一绝缘层于该栅极绝缘层的上方并覆盖该源极和该漏极;

形成一平坦层于所述第一绝缘层的上方;

依次沉积一第一导电层和一第三金属层于该平坦层的上方;

对所述第一导电层和所述第三金属层进行图案化处理;

形成一第二绝缘层于图案化的所述第一导电层和所述第三金属层的上方;以及

形成一图案化的第二导电层于所述第二绝缘层的上方。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示装置的制造方法,其特征在于,所述第一导电层为像素电极,所述第二导电层为共通电极。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示装置的制造方法,其特征在于,所述第一导电层为共通电极,所述第二导电层为像素电极。

4.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管液晶显示装置的制造方法,其特征在于,所述像素电极经由接触孔电性连接至所述薄膜晶体管的漏极。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示装置的制造方法,其特征在于,上述对所述第一导电层和所述第三金属层进行图案化处理的步骤还包括:

提供一预设图案的光刻胶层;

对所述第一导电层和所述第三金属层进行一次蚀刻;

采用半调光罩对像素区中的一部分光刻胶层进行灰化;

对所述第一导电层和所述第三金属层进行二次蚀刻;以及

剥离剩余的所述光刻胶层。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管液晶显示装置的制造方法,其特征在于,上述依次沉积一第一导电层和一第三金属层于该平坦层的上方的步骤之前还包括:

形成一第三绝缘层于所述平坦层与所述第一导电层之间。

7.一种薄膜晶体管液晶显示装置,其特征在于,该薄膜晶体管液晶显示装置包括:

一第一金属层,位于一基板的上方,所述第一金属层经蚀刻用以定义薄膜晶体管的栅极;

一栅极绝缘层,位于所述第一金属层的上方;

一非晶硅层,位于该栅极绝缘层的上方且与栅极正对设置;

一第二金属层,位于所述非晶硅层的上方,所述第二金属层经蚀刻用以定义该薄膜晶体管的源极和漏极;

一第一绝缘层,位于该栅极绝缘层的上方并覆盖该源极和该漏极;

一平坦层,位于所述第一绝缘层的上方;

一第一导电层,位于所述平坦层的上方,该第一导电层具有一第一预设图案;

一第三金属层,位于所述第一导电层的上方,该第三金属层具有不同于所述第一预设图案的一第二预设图案;

一第二绝缘层,设置在所述第一导电层和所述第三金属层的上方;以及

一第二导电层,设置在所述第二绝缘层的上方,该第二导电层具有一第三预设图案,所述第三预设图案不同于所述第一预设图案和所述第二预设图案。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管液晶显示装置,其特征在于,所述第一导电层为像素电极和共通电极其中之一者,所述第二导电层为像素电极和共通电极其中之另一者。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管液晶显示装置,其特征在于,还包括一第三绝缘层,设置于所述第一导电层与所述平坦层之间。

10.根据权利要求7所述的薄膜晶体管液晶显示装置,其特征在于,所述第三金属层还保留于像素区的接触孔区域,且位于所述第一导电层与所述第二绝缘层之间。

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