[发明专利]用于引线框条测试的延伸接触区域有效
申请号: | 201510393564.0 | 申请日: | 2015-07-07 |
公开(公告)号: | CN105244296B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 邱尔万;林丽叶;陈天山 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;胡莉莉 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线框条 单元引线 管芯 踏板 电隔离 测试半导体 延伸 接触区域 半导体管芯 测试 测试引线 切断单元 探测管 引线框 附着 框条 | ||
1.一种测试引线框条的方法,引线框条包括连接到引线框条的周边的多个单元引线框,每个单元引线框具有管芯踏板、多个引线和附着到管芯踏板的半导体管芯,所述方法包括:
至少使引线与引线框条的周边电隔离,使得在与引线框条的周边电隔离之后,引线中的至少一些不间断地延伸超过单元引线框的最终引线轮廓;
测试半导体管芯,这包括探测管芯踏板和在与引线框条的周边电隔离之后不间断地延伸超过单元引线框的最终引线轮廓的引线;以及
在测试半导体管芯之后沿着单元引线框的最终引线轮廓从引线框条切断单元引线框。
2.权利要求1所述的方法,其中包括半导体管芯的单元引线框在引线框条的第一侧处由模塑料覆盖,且其中至少使引线与引线框条的周边电隔离包括:
从与第一侧相对的引线框条的第二侧去除引线框条的部分。
3.权利要求2所述的方法,其中通过在引线框条的第二侧处的激光钻孔、喷水切割或蚀刻来去除引线框条的部分。
4.权利要求1所述的方法,其中单元引线框的第一个的引线中的至少一些在与引线框条的周边电隔离之后保持整体地连接到单元引线框的相邻的第二个的管芯踏板,且其中测试半导体管芯包括:
探测第一单元引线框的管芯踏板;
探测第二单元引线框的管芯踏板,而不是保持整体地连接到第二单元引线框的管芯踏板的第一单元引线框的引线;以及
测试经由到第一和第二单元引线框的管芯踏板的探测连接而附着到第一单元引线框的管芯踏板的半导体管芯。
5.权利要求4所述的方法,其中第一单元引线框的半导体管芯是晶体管管芯,其具有附着到第一单元引线框的管芯踏板的输出端子、电连接到第一单元引线框的引线的第一子集的栅极端子和电连接到第一单元引线框的引线的第二子集的参考端子,所述方法还包括:
在测试晶体管管芯之前从第二单元引线框的管芯踏板切断引线的第一子集;以及
在晶体管管芯的测试期间,探测在第一子集中的每个引线以接近晶体管管芯的栅极端子,并探测第二单元引线框的管芯踏板而不是在第二子集中的引线来接近晶体管管芯的参考端子。
6.权利要求5所述的方法,其中引线的第一子集在从第二单元引线框的管芯踏板被切断之后不间断地延伸超过第一单元引线框的最终引线轮廓,使得在晶体管管芯的测试期间,在第一子集中的每个引线在第一单元引线框的最终引线轮廓之外被探测。
7.权利要求4所述的方法,其中第二单元引线框的引线的至少一些在与引线框条的周边电隔离之后保持整体地连接到单元引线框的第三个的管芯踏板,且其中测试半导体管芯包括:
探测第二单元引线框的管芯踏板;
探测第三单元引线框的管芯踏板而不是保持整体地连接到第三单元引线框的管芯踏板的第二单元引线框的引线;以及
测试经由到第二和第三单元引线框的管芯踏板的探测连接而附着到第二单元引线框的管芯踏板的半导体管芯。
8.权利要求1所述的方法,其中测试半导体管芯包括探测在与引线框条的周边电隔离之后不间断地延伸超过单元引线框的最终引线轮廓的引线的部分而不是在单元引线框的最终引线轮廓内的引线的部分。
9.权利要求1所述的方法,其中在与引线框条的周边电隔离之后不间断地延伸超过单元引线框的最终引线轮廓的引线的部分具有是在单元引线框的最终引线轮廓内的引线的部分的至少三倍的探测接触区域。
10.权利要求1所述的方法,其中在与引线框条的周边电隔离之后不间断地延伸超过单元引线框的最终引线轮廓的引线的部分具有是在单元引线框的最终引线轮廓内的引线的部分的至少十倍的探测接触区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造