[发明专利]采用负阻结构的宽频带、高Q值、可调谐的有源电感

权利要求书

1.一种采用负阻结构的宽频带、高Q值、可调谐的有源电感，其特征在于，包括：负阻反馈晶体管，负跨导放大器，共栅跨导放大器，第一可调电阻网络，第二可调电阻网络，第一正跨导放大器，第二正跨导放大器，第一可调电流源，第二可调电流源；

其中，负阻反馈晶体管由第一NMOS管(M1)构成，负跨导放大器由第二NMOS管(M2)构成，共栅跨导放大器由第三NMOS管(M3)构成，第一可调电阻网络由第九NMOS管(M9)和电阻(R₁)并联构成，第二可调电阻网络由第七PMOS管(M7)构成，第一正跨导放大器由第四NMOS管(M4)构成，第二正跨导放大器由第五NMOS管(M5)构成，第一可调电流源由第六PMOS管(M6)构成，第二可调电流源由第八NMOS管(M8)构成；第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)构成了负阻结构，减少了输入端实部的损耗，提高Q值；第二NMOS管(M2)和第三NMOS管(M3)构成了共源共栅结构，通过调节第三MOS管(M3)的栅极电压，能够提高输出阻抗，减小零点的频率，提高电感值的频带；第二NMOS管(M2)与第四NMOS管(M4)构成回转器结构，将第四NMOS管(M4)的栅源电容(C_gs4)回转成等效电感，同时第二NMOS管(M2)与第五NMOS管(M5)也构成回转器的结构，将第五NMOS管(M5)的栅源电容(C_gs5)回转成等效电感，双回转器能够提高有源电感的电感值和Q值；通过调节第九MOS管(M9)的栅极电压实现第一可调电阻网络的电阻值的变化，实现电感值和Q值的可调谐；第七MOS管(M7)构成第二可调电阻网络，其中第七MOS管(M7)工作在三极区；通过第七MOS管(M7)栅极电压的改变，实现第二可调电阻网络的等效电阻的变化；改变第五NMOS管(M5)的跨导，来调节电感值和Q值；

其中，第一NMOS管(M1)的栅极连接第二NMOS管(M2)的漏端，第二NMOS管(M2)的栅极作为有源电感的输入端(RFIN)；第一NMOS管(M1)的漏极连接到有源电感的输入端(RFIN)；第一NMOS管(M1)的源极和第二NMOS管(M2)的源极相连接地(GND)；第三NMOS管(M3)的源极和第二NMOS管(M2)的漏极相连，第三NMOS管(M3)的栅极与第四可调电压源(V_tune4)相连；第四NMOS管(M4)的源极连接到有源电感的输入端(RFIN)，第四NMOS管(M4)的漏极连接到电源(VDD)；第五NMOS管(M5)的栅极连接到第三NMOS管(M3)的漏极，第五NMOS管(M5)的源极连接到有源电感的输入端(RFIN)；第六PMOS管(M6)的源极连接第三NMOS管(M3)的漏极，第六PMOS管(M6)的栅极连接第三可调电压源(V_tune3)，第六PMOS管(M6)的漏极连接电源(VDD)；第七PMOS管(M7)的栅极连接到第一可调电压源(V_tune1)，第七PMOS管(M7)的源极连接到第五NMOS管(M5)的漏极，第七PMOS管(M7)的漏极连接到电源(VDD)；第八NMOS管(M8)的漏极连接第五NMOS管(M5)的源极，第八NMOS管(M8)的栅极连接第二可调电压源(V_tune2)，第八NMOS管(M8)的源极连接地(GND)；第九NMOS管(M9)的漏极连接到第三NMOS管(M3)的漏极，第九NMOS管(M9)的栅极连接第五可调电压源(V_tune5)，第九NMOS管(M9)的源极连接到第四NMOS管(M4)的栅极；电阻(R₁)第一端连接到第九NMOS管(M9)的源极，电阻(R₁)第二端连接到第九NMOS管(M9)的漏极。