[发明专利]相变化记忆体的制备方法有效
| 申请号： | 201510394649.0 | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN105098069B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 苏水金 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 记忆体 制备 方法 | ||
1.一种相变化记忆体的制备方法，其特征在于，包含：
形成一加热材料层于一介电层上；
形成一第一罩幕层于该加热材料层上；
形成一第二罩幕层于该第一罩幕层上；
图案化该加热材料层、该第一罩幕层与该第二罩幕层，以暴露该第一罩幕层的一侧面；
自该第一罩幕层的该侧面处移除部分该第一罩幕层，以暴露部分该加热材料层；
移除该第二罩幕层；以及
以该第一罩幕层为遮罩，移除暴露的部分该加热材料层以形成一加热器。
2.根据权利要求1所述的相变化记忆体的制备方法，其特征在于，还包含：
移除该第一罩幕层；
形成一绝缘层覆盖该加热器；
平坦化该绝缘层以暴露该加热器；以及
形成一相变化层于该加热器上。
3.根据权利要求1所述的相变化记忆体的制备方法，其特征在于，是以一湿蚀刻制程自该第一罩幕层的该侧面处移除部分该第一罩幕层。
4.根据权利要求3所述的相变化记忆体的制备方法，其特征在于，该湿蚀刻制程移除部分的该第二罩幕层与部分的该加热材料层，且该第一罩幕层的移除速率大于该第二罩幕层与该加热材料层的移除速率。
5.根据权利要求1所述的相变化记忆体的制备方法，其特征在于，在形成该加热材料层于该介电层上前，还包含：
形成一阻障层于该介电层上。
6.根据权利要求5所述的相变化记忆体的制备方法，其特征在于，是以一干蚀刻制程移除暴露的部分该加热材料层以形成该加热器，且该干蚀刻制程停止于该阻障层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司，未经江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510394649.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
