[发明专利]一种DSOI应变计及其制作方法

权利要求书

1.一种DSOI应变计，其特征在于：包括应变计，应变计包括衬底层和器件薄膜层，所述器件薄膜层设于衬底层上方且两者之间设有绝缘薄膜层隔离，器件薄膜层包括至少一个电阻敏感栅，每个电阻敏感栅由至少两条电阻条串接而成，所述器件薄膜层的外形与衬底层的外形相一致，衬底层底部设有与其相接的绝缘膜基底。

2.根据权利要求1所述的一种DSOI应变计，其特征在于：所述电阻条外表包裹一绝缘薄膜层。

3.根据权利要求1所述的一种DSOI应变计，其特征在于：所述衬底层、器件薄膜层外轮廓的转角均为圆角。

4.根据权利要求1所述的一种DSOI应变计，其特征在于：所述应变计的外表覆盖一层氮化硅薄膜，所述绝缘膜基底为二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜构成的复合基底。

5.根据权利要求1所述的一种DSOI应变计，其特征在于：所述每个电阻敏感栅的电阻条之间通过浓硼填埋层电连接而形成短路。

6.根据权利要求1所述的一种DSOI应变计，其特征在于：所述电阻敏感栅包括热压脚，电阻条与热压脚之间通过浓硼填埋层电连接，所述热压脚在浓硼填埋层表面上行走。

7.一种权利要求1～6任一所述的一种DSOI应变计的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、制作绝缘硅片，所述绝缘硅片包括从下至上设置的牺牲层、衬底层、器件薄膜层，牺牲层与衬底层、衬底层与器件薄膜层之间均设有绝缘薄膜层；

B、采用热氧化工艺在绝缘硅片上表面生成第一氧化层，在所述第一氧化层上光刻出浓硼区窗口，并在该浓硼区窗口进行硼杂质扩散而形成浓硼填埋层；

C、采用热氧化工艺在浓硼区窗口覆盖第二氧化层，保护浓硼埋层不受外界污染的影响；

D、光刻电阻区，使电阻区以外的第一氧化层被光刻腐蚀液漂净，保留电阻区表面的光刻胶，用干法刻蚀电阻区至应变片衬底上表面的绝缘薄膜层止，形成电阻条；

E、光刻第一引线孔，在第二氧化层上光刻出第一引线孔，漂净第一引线孔区域内的第二氧化层，在第一引线孔上方覆盖一层与浓硼填埋层接触的金属层；

F、光刻热压脚，用干法刻蚀热压脚区域外的金属层，形成热压脚；

G、光刻深刻蚀区，把衬底层上表面除深刻蚀区外的绝缘薄膜层通过光刻腐蚀液漂蚀干净，保留深刻蚀区表面的光刻胶，用干法刻蚀深刻区外的衬底层，终止于牺牲层上表面的绝缘薄膜层上；

H、采用自停止腐蚀技术去除牺牲层。

8.根据权利要求7所述的一种DSOI应变计的制作方法，其特征在于：在所述的G步骤之后H步骤之前增加如下步骤：

G(1)、光刻深刻蚀区后，在绝缘硅片除牺牲层外的表面上覆盖一层氮化硅薄膜层，在衬底层的侧壁表面生长一层氮化硅薄膜层，衬底层与牺牲层之间的绝缘薄膜层及覆盖于其上表面的氮化硅薄膜层构成复合基底；

G(2)、光刻第二引线孔，把热压脚表面覆盖的氮化硅薄膜去除，暴露电极热压脚。

9.根据权利要求7所述的一种DSOI应变计的制作方法，其特征在于：在所述的F步骤之后将形成有热压脚的绝缘硅片进行合金化处理。