[发明专利]一种基于降噪处理的智能型高清多屏图像处理系统有效

专利信息
申请号: 201510395633.1 申请日: 2015-07-02
公开(公告)号: CN105049677B 公开(公告)日: 2017-12-01
发明(设计)人: 刘霖;刘永;邱会中;杨先明;张晓奕;罗颖;施金金 申请(专利权)人: 宁波摩米创新工场电子科技有限公司
主分类号: H04N5/14 分类号: H04N5/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 315100 浙江省宁波*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 处理 智能型 高清多屏 图像 系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种图像处理系统,具体是指一种基于降噪处理的智能型高清多屏图像处理系统。

背景技术

图像处理技术广泛地应用于计算机视觉相关领域,比如基于图像的人脸身份识别,人脸表情识别,人脸性别识别和人脸年龄估计等。同时,随着数字技术的不断发展,影像摄录、存储、传输、显示等环节的新技术层出不穷,社会大众对用视听手段更加真实的重现自然生活场景的需求更为强烈。工程设计、军事、医疗等行业对于超高分辨率的显示屏幕的需求也越来越大。因此在目前普遍应用的高清晰度电视制式和显示器规格之上,超高清晰度的视听标准和应用会成为数字视听领域的新热点。

超高清晰度是指高于目前的高清分辨率1920×1080,达到4倍高清分辨率即3840×2160(或4096×2160),甚至于16倍高清分辨率即即7680×4320(或8192×4320)的显示格式。目前在数字电视广播领域超高清晰度节目制播还处于试验阶段,在显示领域,已推出了超高清晰度显示器样机。为了适应这一形势,超高清晰度信号发生器就提上了日程。

现在,在超大屏幕显示上的现状是,第一,由于没有超高清晰度的信号源,即信号源容易受到噪声干扰。第二,采用视频处理及拼接技术,将一个高清或标清信号通过分割,在各个拼接显示器上显示,这样的方法,通常会随显示屏幕增大,而降低图像的分辨率。无论上述哪种方案,都没有采用真正的拥有超高清晰度信息的信号源,没法展示超高清晰的完整图像内容,有损于最终的展示效果。

发明内容

本发明的目的在于克服传统的图像处理系统容易受到噪声干扰而导致其显示精度不高的缺陷,提供一种基于降噪处理的智能型高清多屏图像处理系统。

本发明的目的通过下述技术方案实现:一种基于降噪处理的智能型高清多屏图像处理系统,其由图像采集器,数字信号处理器,与图像采集器相连接的放大单元,与放大单元相连接的图像转换单元,与数字信号处理器相连接的FIFO存储器、存储器以及数据输出单元,与数据输出单元相连接的2个以上的显示器,以及设置在图像转换单元与FIFO存储器之间的降噪处理单元组成。

进一步的,所述降噪处理单元由三极管VT3,三极管VT4,三极管VT5,三极管VT6,一端与三极管VT6的发射极相连接、另一端则接地的电阻R13,一端与三极管VT6的发射极相连接、另一端则经电阻R17后与三极管VT3的基极相连接的电阻R16,一端与三极管VT6的发射极相连接、另一端则经电阻R15后与三极管VT3的基极相连接的电阻R14,一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端则与三极管VT4的基极相连接的电阻R18,正极与三极管VT3的基极相连接、负极则经极性电容C10后与电阻R16和电阻R17的连接点相连接的极性电容C11,以及一端与极性电容C11的负极相连接、另一端则经电感L2后接地的电感L1组成;所述三极管VT4的集电极与电感L1和电感L2的连接点相连接、其发射极接地、基极则形成该降噪处理单元的输出端;所述三极管VT5的基极与电阻R14和电阻R15的连接点相连接、其集电极则与三极管VT6的发射极相连接、而其发射极则同时与三极管VT3的基极和集电极相连接;所述三极管VT6的集电极接+12V电压、而其基极则形成该降噪处理单元的输入端。

所述的放大单元由放大器P1,放大器P2,正极经电阻R1后与放大器P1的正极相连接、负极则形成该放大单元的输入端的极性电容C1,串接在放大器P1的正极和输出端之间的极性电容C3,串接在放大器P2的负极和输出端之间的电阻R5,串接在放大器P1的输出端和放大器P2的正极之间的电阻R4,一端经电阻R3后接地、另一端则接15V电压的电阻R2,正极与放大器P1的负极相连接、负极接地的极性电容C2,以及输入端与放大器P2的负极相连接、输出端则经二极管D1后接地的偏置电路组成;所述放大器P2的负极分别与电阻R2和电阻R3的连接点以及极性电容C2的正极相连接、其输出端则形成该放大单元的输出端。

所述的偏置电路由场效应管MOS1,三极管VT1,正极经电阻R6后与场效应管MOS1的栅极相连接、负极则与放大器P2的负极相连接的极性电容C4,正极与场效应管MOS1的漏极相连接、负极则经二极管D1后接地的极性电容C6,正极与极性电容C4的正极相连接、负极接地的极性电容C5,P极与极性电容C5的正极相连接、N极则经电阻R8和电阻R7后与三极管VT1的集电极相连接的二极管D3,以及与电阻R8相并联的稳压二极管D2组成;所述三极管VT1的发射极分别与场效应管MOS1的源极以及二极管D3的P极相连接,其基极则与二极管D3的N极相连接。

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