[发明专利]一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法有效
| 申请号： | 201510395922.1 | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN104944412A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 潘春旭;罗成志;廖蕾;万达 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 性单壁碳 纳米 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将催化剂二茂铁置于CVD炉石英管内上游区，基底置于石英管内下游区，然后封闭石英管，通入氮气或惰性气体以排尽石英管内的空气；
(2)将石英管加热至400-1500℃，开启磁场，从上游区通入高纯度气体碳源反应5-300min，反应结束后先关闭气体碳源，再关闭磁场，然后将石英管自然降温至室温，即得到半导体性单壁碳纳米管。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述的基底为铜微栅、石英片、表面有100nm SiO2的硅片、铜微栅、有机物或玻璃。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中通入氮气或惰性气体的速度为10-1000sccm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中的加热速率为5-100℃/s。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述的气体碳源为C2H2、CH4、C2H4或气态乙醇。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述的磁场由永磁铁或电磁铁提供。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中的磁场强度为0.01-80T。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中通入气体碳源的速度为2-1000sccm。
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