[发明专利]半导体装置、制造半导体装置的方法及固态成像设备

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

栅极电极，形成在基板上，该栅极电极和该基板之间具有栅极绝缘层；

绝缘层，具有能够进行硅化物阻挡的特性和厚度，形成在该基板的第一区域中以覆盖该栅极电极；

侧壁，在该栅极电极的侧面形成为至少部分地包括该绝缘层；

第一高浓度杂质区域，在形成该绝缘层前，在该基板的该第一区域中形成的该栅极电极的周边区域中通过注入第一高浓度杂质而形成；

第二高浓度杂质区域，在形成该侧壁后，在该基板的第二区域中形成的该栅极电极的该侧壁的周边区域中通过注入第二高浓度杂质而形成；以及

硅化物层，形成在该基板的该第二高浓度杂质区域的表面上，

其中，在形成第一高浓度杂质区域的过程中，没有碰撞效应发生在不形成硅化物层的所述第一区域中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该硅化物层还形成在于该第二区域中提供的该栅极电极的表面上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该第二高浓度杂质区域的形成区域根据因形成该第二高浓度杂质区域而引起的像素特征的劣化程度而决定。

4.一种制造半导体装置的方法，包括如下步骤：

在基板上形成栅极电极，该基板包括不形成硅化物层的第一区域和形成硅化物层的第二区域，在该基板和该栅极电极之间具有栅极绝缘层；

在该第一区域中形成的该栅极电极的周边区域中通过注入第一高浓度杂质而形成第一高浓度杂质区域；

在形成有该第一高浓度杂质区域的该基板上，形成具有能够进行硅化物阻挡的特性和厚度的绝缘层以覆盖该栅极电极；

在该栅极电极的侧面形成至少部分地包括该绝缘层的侧壁；

在该绝缘层的对应于该第二区域中形成的该栅极电极的该侧壁的周边区域的区域中形成开口部分，以暴露该基板的表面；

在该基板包括形成有该开口部分的该绝缘层的该第二区域中通过注入第二高浓度杂质形成第二高浓度杂质区域；以及

通过在形成有该开口部分的该绝缘层之上形成能够硅化反应的金属层并进行硅化反应而形成硅化物层，

其中，在形成第一高浓度杂质区域的步骤中，没有碰撞效应发生在不形成硅化物层的所述第一区域中。

5.一种固态成像设备，包括：

栅极电极，形成在基板上，该栅极电极和该基板之间具有栅极绝缘层；

绝缘层，具有能够进行硅化物阻挡的特性和厚度，形成在该基板的成像区域中以覆盖该栅极电极；

侧壁，在该栅极电极的侧面形成为至少部分地包括该绝缘层；

第一高浓度杂质区域，在形成该绝缘层前，在该基板的该成像区域中形成的该栅极电极的周边区域中通过注入第一高浓度杂质而形成；

第二高浓度杂质区域，在形成该侧壁后，在该基板的周边电路区域中形成的该栅极电极的该侧壁的周边区域中通过注入第二高浓度杂质而形成；

硅化物层，形成在该基板的该第二高浓度杂质区域的表面上；以及

光学系统，将入射光引导到该成像区域，

其中，在形成第一高浓度杂质区域的过程中，没有碰撞效应发生在不形成硅化物层的所述成像区域中。