[发明专利]固态成像器件、图像数据传输方法以及照相机系统有效
申请号: | 201510397289.X | 申请日: | 2015-07-08 |
公开(公告)号: | CN105262964B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 水口达也 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 图像 数据传输 方法 以及 照相机 系统 | ||
1.一种具有并行传输模式和串行传输模式的固态成像器件,包括:
像素阵列;
AD转换单元,将从所述像素阵列读出的多个模拟信号中的每一个转换为多个数字信号,并且输出所述数字信号;
第一和第二输出端子;
单端驱动器,在所述并行传输模式中启用,并且基于所述数字信号而向所述第一和第二输出端子分别输出第一和第二单端信号;
差分驱动器,在所述串行传输模式中启用,并且基于所述数字信号而向所述第一和第二输出端子分别输出构成差分信号的正信号和负信号;以及
电平移位器,在所述并行传输模式中,使每个所述数字信号的电压电平移位、并且将具有移位后的电压电平的所产生的信号提供至对应的单端驱动器。
2.根据权利要求1所述的固态成像器件,其中
所述第一和第二单端信号中的每一个都是CMOS(互补金属氧化物半导体)接口标准的信号,而构成所述差分信号的所述正信号和所述负信号中的每一个都是SubLVDS(低电压差分信号)标准的信号,并且
所述固态成像器件进一步包括:
串行化器,在所述串行传输模式中,接收从所述AD转换单元并行地输出的所述数字信号、并且将所接收到的所述数字信号串行地提供至所述差分驱动器。
3.根据权利要求2所述的固态成像器件,其中
所述串行化器:由参考电压和第一电压驱动;包括用于输出所述数字信号的第一和第二输出节点;在所述并行传输模式中,将所述第一和第二输出节点固定至所述第一电压;并且在所述串行传输模式中,根据所述数字信号的逻辑而将所述第一和第二输出节点中的任何一个输出节点设置为所述第一电压并且将另一个输出节点设置为所述参考电压;
所述差分驱动器:由所述参考电压和高于所述第一电压的第二电压驱动;在所述串行传输模式中启用;并且根据所述第一和第二输出节点分别设置为所述参考电压和所述第一电压、或者分别设置为所述第一电压和所述参考电压,而向所述第一和第二输出端子中的任何一个输出端子提供低于所述第一电压的第三电压、并且向另一个输出端子提供处于所述第三电压与所述参考电压之间的第四电压;并且
所述单端驱动器:由所述参考电压和所述第二电压驱动;在所述并行传输模式中启用;并且根据所述数字信号的逻辑而将所述第一和第二输出端子中的每一个都设置为所述参考电压或者所述第二电压。
4.根据权利要求3所述的固态成像器件,其中
所述差分驱动器包括第一和第二开关以及第一至第四P沟道MOS晶体管;
第一和第二P沟道MOS晶体管的源极分别耦合至所述第一开关的一个端子和另一个端子,所述第一和第二P沟道MOS晶体管的栅极分别耦合至所述第一和第二输出节点,所述第一和第二P沟道MOS晶体管的漏极分别耦合至所述第二和第一输出端子;
第三和第四P沟道MOS晶体管的源极分别耦合至所述第二和第一输出端子,所述第三和第四P沟道MOS晶体管的栅极分别耦合至所述第二和第一输出端子,所述第三和第四P沟道MOS晶体管的漏极分别耦合至所述第二开关的一个端子和另一个端子;并且
所述第一和第二开关中的每一个,在所述并行传输模式中在至少所述第一输出端子的电压和所述第二输出端子的电压彼此不同的情况下成为非导电的,而在所述串行传输模式中成为导电的。
5.根据权利要求4所述的固态成像器件,进一步包括:
背栅极控制单元,在所述并行传输模式中向所述第一至第四P沟道MOS晶体管的背栅极施加所述第二电压,而在所述串行传输模式中向所述第一至第四P沟道MOS晶体管的背栅极施加所述第三电压。
6.根据权利要求5所述的固态成像器件,
其中所述差分驱动器进一步包括:
输出电流生成单元,在所述串行传输模式中启用,并且将输出电流提供至所述第一和第二P沟道MOS晶体管的每一个源极;以及
输出共用电压控制单元,在所述串行传输模式中启用,并且控制所述第三和第四P沟道MOS晶体管的所述漏极的电压从而使得所述第一和第二输出端子的共用电压成为预定的电压。
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