[发明专利]半导体器件的制造方法和衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括如下工序：

通过对在表面形成有绝缘膜的衬底供给包含第一元素以及卤族元素且不含氮的原料，来对所述绝缘膜的表面进行预处理；和

将非同时地进行对所述衬底供给所述原料的工序和对所述衬底供给包含第二元素的反应物的工序作为一循环，通过以规定次数进行该循环，在进行了所述预处理的所述绝缘膜的表面上形成包含所述第一元素以及所述第二元素的膜。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述预处理的工序中的所述原料的供给条件与形成所述膜的工序中的每一所述循环的所述原料的供给条件不同。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述预处理的工序中的所述原料的供给时间比形成所述膜的工序中的每一所述循环的所述原料的供给时间长。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述预处理的工序中的所述原料的供给流量比形成所述膜的工序中的所述原料的供给流量大。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述预处理的工序中的所述原料供给时的所述衬底所存在的空间的压力比形成所述膜的工序中的所述原料供给时的所述衬底所存在的空间的压力大。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在所述预处理的工序中，在所述绝缘膜的表面形成种晶层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在所述预处理的工序中，在所述绝缘膜的表面形成包含所述卤族元素的种晶层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在所述预处理的工序中，在所述绝缘膜的表面形成包含所述第一元素和所述卤族元素的种晶层。

9.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述种晶层的厚度是0.05nm以上且0.2nm以下。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述循环还包含对所述衬底供给包含第三元素的反应物的工序，

通过以规定次数进行所述循环，在进行了所述预处理的所述绝缘膜的表面上形成包含所述第一元素、所述第二元素以及所述第三元素的膜。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述循环还包含对所述衬底供给包含第四元素的反应物的工序，

通过以规定次数进行所述循环，在进行了所述预处理的所述绝缘膜的表面上形成包含所述第一元素、所述第二元素、所述第三元素以及所述第四元素的膜。

12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述第一元素包含选自半导体元素以及金属元素中的至少1种，所述卤族元素包含选自Cl以及F中的至少1种。

13.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述第二元素包含选自C、N、O以及B中的至少1种。

14.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述绝缘膜包含选自氧化膜系的绝缘膜以及氮化膜系的绝缘膜中的至少1种。

15.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述膜的厚度是1nm以上且10nm以下。

16.一种衬底处理装置，具有：

处理室，其收纳衬底；

第一供给系统，其对所述处理室内的衬底供给包含第一元素以及卤族元素且不含氮的原料；

第二供给系统，其对所述处理室内的衬底供给包含第二元素的反应物；以及

控制部，其构成为控制所述第一供给系统以及所述第二供给系统，以进行第一处理和第二处理，在所述第一处理中，通过对所述处理室内的在表面形成有绝缘膜的衬底供给所述原料，来对所述绝缘膜的表面进行预处理，在所述第二处理中，将非同时地进行对所述处理室内的所述衬底供给所述原料的处理和对所述处理室内的所述衬底供给所述反应物的处理作为一循环，通过以规定次数进行所述循环，由此在进行了所述预处理的所述绝缘膜的表面上形成包含所述第一元素以及所述第二元素的膜。