[发明专利]一种高压变频器的均压控制电路

说明书

技术领域

本发明属于变频器领域，具体涉及一种高压变频器的均压控制电路。

背景技术

晶体管具有通态压降低、工作速度快、驱动电路简单等优点，在电机控制、中频和开关电源，以及要求快速、低损耗的领域中得到了广泛的应用。尽管晶体管的电流容量和电压等级在不断地提高(目前商品化晶体管模块的最高额定值为3300V，1200A)，但是在大容量高电压的应用场合(高压变频器)中单只晶体管的耐压值仍不能满足要求，为此要想在更高压的领域中使用晶体管就需要把晶体管模块串联起来，有时甚至需要将逆变器进行串联，以构成电压等级更高的变流装置，类似应用于高压变频器中。

晶体管一般有四种工作状态，即阻断状态(稳定断态)、开通瞬态、导通状态(稳定通态)、关断瞬态。其中阻断状态和导通状态是静态过程，开通瞬态和关断瞬态是动态过程。串联级联的晶体管，由于各单个晶体管的静态伏安特性和动态参数的不同，将引起各器件间电压分配不均匀而产生过电压失衡现象，造成晶体管器件的损坏，甚至损坏高压设备。本发明就是针对这一缺陷进行的改进，提供一种从晶体管栅极入手进行无源均压控制的控制电路。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种高压变频器的均压控制电路，具有响应速度快、较低的功率损耗和良好的静态和动态均压特性。

为达到上述目的，本发明的技术方案如下：一种高压频变压器的均压控制电路，其特征在于：包括依次串联级联的复数个子电路，每个所述子电路均包括由驱动电路驱动工作的晶体管V，所述晶体管V的集电极和发射极之间设有动态均压电容，所述动态均压电容具有串联设置的两个，分别为

第一电容C1和第二电容C2，两所述动态均压电容之间的连接点为A点，所述晶体管的栅极和A点连接，所述驱动电路连接晶体管V的栅极。

本发明的一个较佳实施例中，进一步包括所述晶体管V的栅极和A点之间还设有二极管D，所述二极管的正极连接A点，其负极连接所述晶体管V的栅极。

本发明的一个较佳实施例中，进一步包括所述晶体管V的集电极和发射极之间设有静态分压电阻，所述静态分压电阻具有串联设置的两个，分别为第一电阻R1和第二电阻R2，两所述静态分压电阻之间的连接点为B点，B点与A点连接。

本发明的一个较佳实施例中，进一步包括所述晶体管V的栅极设有栅极分流电阻，所述栅极分流电阻为并联设置的两个，分别为第一栅极电阻Rg1和第二栅极电阻Rg2，所述第一栅极电阻Rg1设置在晶体管V的栅极和驱动电路之间，所述第二栅极电阻Rg2设置在晶体管V的栅极和二极管D之间。

本发明的一个较佳实施例中，进一步包括所述晶体管V的栅极和发射极之间设有钳位二极管Dz。

本发明的一个较佳实施例中，进一步包括复数个所述子电路依次串联级联后的整体还串联有负载电感L和负载电阻R_L。

本发明的一个较佳实施例中，进一步包括所述负载电感和负载电阻R_L串联后的两端还并联有续流二极管D_L。

本发明的有益效果是:本发明提供一种高压变频器的均压控制电路，构成晶体管栅极辅助电路，通过栅极辅助电路对先关断和后开通的晶体管的栅极电荷进行调节和控制，实现晶体管在开通瞬间和关断瞬间的电压平衡，解决串联级联晶体管模块因单个晶体管的过电压造成的整个模块的损坏，提高整个变频器输出的稳定性。具有响应速度快、较低的功率损耗和良好的静态和动态均压特性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例技术中的技术方案，下面将对实施例技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明优选实施例的电路图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例

如图1所示，本实施例中公开了一种高压变频器的均压控制电路，包括依次串联级联的复数个子电路，为了便于描述，本实施例中优选采用两个子电路进行描述，分别为第一子电路和第二子电路：