[发明专利]一种二硫化钼基双金属纳米复合材料构建的气体传感器的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510397949.4 申请日: 2015-07-09
公开(公告)号: CN105136977B 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 李娇娇;张勇;魏琴;王欢;王耀光 申请(专利权)人: 济南大学
主分类号: G01N33/00 分类号: G01N33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 250022 *** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 二硫化钼 双金属 纳米 复合材料 构建 气体 传感器 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种二硫化钼基双金属纳米复合材料构建的气体传感器的制备方法,其特征在于,制备步骤为:

(1)取35mL的十六烷基三甲基溴化铵CTAB溶液,加入0.02~0.06g六水合二氯化镍NiCl2·6H2O和2~6mL的氯钯酸H2PdCl4溶液,搅拌15分钟后,继续搅拌并相继加入2~6mL的抗坏血酸溶液,0.5~1.5mL的钼酸钠Na2MoO4溶液和0.01~0.03g硫化钠Na2S,搅拌15分钟后,放入反应釜中,在150~220℃下,反应12~16小时;冷却至室温后,使用去离子水离心洗涤,在40℃下进行真空干燥,即制得二硫化钼/镍钯合金纳米复合材料MoS2/NiPd;

(2)将步骤(1)中制备的MoS2/NiPd置于研钵中,加入无水乙醇,研磨至糊状;

(3)将步骤(2)中制备的糊状的MoS2/NiPd均匀涂覆在绝缘陶瓷管表面形成涂膜,在室温下晾干;

(4)将步骤(3)中制备的绝缘陶瓷管两侧的铂丝以及加热丝与底座进行焊接;

(5)将步骤(4)中焊接好的元件放置在检测仪器中,通过调节加热电压至4.22V进行老化处理,即制得气体传感器的气敏元件;

所述的CTAB溶液的浓度为0.1mol/L,所述的H2PdCl4浓度为0.03mol/L,所述的抗坏血酸溶液浓度为0.3mol/L,所述的Na2MoO4溶液浓度为0.1mol/L。

2.如权利要求1所述的一种二硫化钼基贵金属纳米复合材料构建的气体传感器的制备方法,其特征在于,所述的气体传感器的用途为可用于挥发性芳烃类化合物的检测。

3.如权利要求2所述的气体传感器的用途,其特征在于,其中所述的挥发性芳烃类化合物为苯、甲苯、二甲苯和苯乙烯。

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