[发明专利]用于管腔内聚合物沉积的设备和方法有效
申请号: | 201510398705.8 | 申请日: | 2015-06-12 |
公开(公告)号: | CN105177532B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 大卫·K·富特 | 申请(专利权)人: | 诺信公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;H01J37/32 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 沈同全;车文 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 管腔内 聚合物 沉积 设备 方法 | ||
1.一种将涂层涂覆到多个制品的方法,每个制品具有第一端和与所述第一端相反的第二端、通道、围绕所述通道的内部表面,和外部表面,所述方法包括:
将所述多个制品放置在多个导电导管内,每个导电导管具有两个相反端、通道和围绕所述通道的内部表面,从而每个制品的第一端和第二端中的至少一端位于所述多个导电导管中的一个导电导管的两个相反端内,并且间隙形成在每个导电导管的内部表面与每个相应制品的外部表面之间;
当所述制品位于所述多个导电导管中的一个导电导管的通道内时在每个制品的通道内从工艺气体产生等离子体放电;
防止在每个导电导管的内部表面与每个制品的外部表面之间的每个间隙中的等离子体放电;以及
从所述等离子体放电将所述涂层沉积在所述多个制品中的每个制品的内部表面上。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在每个制品的通道内产生所述等离子体放电包括:
在所述通道内的总压力下将所述工艺气体供应到每个制品的通道,所述总压力包括惰性气体的分压和前体单体的分压。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述前体单体选自如下的组,所述组由四甲基环四硅氧烷、六甲基二硅氧烷以及1,1,3,3-四甲基二硅氧烷构成。
4.根据权利要求2所述的方法,其中每个导电导管与电源相联接,并且在每个制品的通道内产生所述等离子体包括:
从所述电源向每个导电导管供应具有脉冲频率和占空比的射频功率。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述占空比包括供电部分和非供电部分,并且所述方法进一步包括:
在所述占空比的非供电部分期间通过从所述制品的相反端向内的气体流来在每个制品的通道内补充所述工艺气体。
6.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:
通过选择所述惰性气体的分压来提高所述工艺气体的总压力以支持每个制品的通道内的所述等离子体放电。
7.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:
通过选择所述前体单体的分压来在每个制品的第一端和第二端之间以均匀的厚度沉积所述涂层。
8.根据权利要求7所述的方法,进一步包括:
通过选择所述惰性气体的分压来提高所述工艺气体的总压力以支持每个制品的通道内的所述等离子体放电。
9.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:
将每个导电导管的通道和每个制品的通道定向为与处理室内的所述工艺气体的流动方向平行。
10.根据权利要求1所述的方法,其中将所述多个制品放置在多个导电导管内的步骤包括:
将所述多个制品中的一个制品放置在所述多个导电导管中的相应一个导电导管内。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的