[发明专利]可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置

权利要求书

1.一种可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；其特征在于，所述片架由有多个在水平方向上延伸的置放板件堆叠而成，每一个置放板件均采用环形结构；所述反应室中，送气管道的端部位置设置有导流板，其包括有连接至反应室侧端面，且沿水平方向进行延伸的连接部分，其采用环形结构，连接部分位于片架上方，且其内径小于片架中置放板件的内径；所述连接部分的内侧边部设置有沿竖直方向向下延伸至置放板件内侧的导流部分，所述连接部分与导流部分之上分别设置有多个导流孔，所述导流部分中，任意两个相邻的置放板件之间的对应位置之上均设置有一组导流孔，每组导流孔分别包括有4个导流孔，其关于置放板件的轴线成旋转对称，所述导流部分中，每一个导流孔均采用弧形结构，每个导流孔的弧长为导流部分直径的1/6。

2.按照权利要求1所述的可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述导流板中，导流部分的高度与片架高度相同。

3.按照权利要求1所述的可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述反应室中，其侧端面设置有多个搅动装置，每一个搅动装置均包括有搅动轴，其连接至设置在反应室外部的搅动电机，搅动轴之上设置有搅动叶片。

4.按照权利要求3所述的可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，每一个搅动装置中，搅动叶片均采用斜桨式分布。

5.按照权利要求3所述的可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述反应室中设置有至少2组搅动装置，其在高度方向上均匀分布；每组搅动装置分别包括有3个位于同一水平位置的搅动装置，其关于反应室的轴线成旋转对称。