[发明专利]基于低温共烧陶瓷混合集成的DC-DC变换器及其制造方法

权利要求书

1.一种基于低温共烧陶瓷混合集成的DC-DC变换器，所述DC-DC变换器包括低温共烧陶瓷微型变压器和基于CMOS的电路芯片；其中，所述低温共烧陶瓷微型变压器为层叠式设计且与所述基于CMOS的电路芯片采用混合集成设计方式。

2.如权利要求1所述的基于低温共烧陶瓷混合集成的DC-DC变换器，其中所述低温共烧陶瓷微型变压器包括至少两组金属线圈组件。

3.如权利要求2所述的基于低温共烧陶瓷混合集成的DC-DC变换器，其中所述金属线圈组件为金属带状导电线圈。

4.如权利要求1所述的基于低温共烧陶瓷混合集成的DC-DC变换器，其中所述低温共烧陶瓷微型变压器采用生瓷带和导体浆料制作。

5.如权利要求4所述的基于低温共烧陶瓷混合集成的DC-DC变换器，其中所述生瓷带由低温共烧陶瓷粉制成，所述导体浆料为金浆或银浆。

6.如权利要求1所述的基于低温共烧陶瓷混合集成的DC-DC变换器，其中所述低温共烧陶瓷粉包括微晶玻璃、单相陶瓷、玻璃陶瓷。

7.如权利要求1所述的基于低温共烧陶瓷混合集成的DC-DC变换器，其中所述CMOS电路芯片包括初级驱动电路和次级接收电路。

8.一种基于LTCC低温共烧陶瓷微型变压器的制造方法，包括以下步骤：

将配制好的低温共烧陶瓷粉通过流延制成一定厚度的生瓷带；

将流延好的生瓷带切割成生瓷片，在需要过孔的位置打孔，需要形成空腔的位置形成空腔；

在所述生瓷片表面适当位置以导体浆料印刷微型变压器图案，形成微型变压器电路；

将多层生瓷片按照需要进行叠压，将压好的生瓷片切割成单个器件或模块；

将切割好的器件或模块进行一次性低温烧结。

9.如权利要求8所述的基于LTCC低温共烧陶瓷微型变压器的制造方法，其中所述低温共烧陶瓷粉包括微晶玻璃、单相陶瓷、玻璃陶瓷，所述导体浆料为金浆或银浆，所述低温烧结温度为800～900℃。

10.一种基于低温共烧陶瓷混合集成的DC-DC变换器的制造方法，是通过将如权利要求8或9所述的基于LTCC低温共烧陶瓷微型变压器的制造方法制造的基于LTCC低温共烧陶瓷微型变压器与基于CMOS的电路芯片组装在一起而制成。