[发明专利]一种有机半导体元件结构与其制作方法

权利要求书

1.一种有机半导体元件结构，包括基板，形成在基板上的源极电极、漏极电极、栅极电极；其特征在于：在所述源极电极、漏极电极上设置有保护层，所述保护层上设置有机半导体层，所述保护层和有机半导体层完全覆盖所述源极电极和漏极电极，在所述栅极电极与源极电极、漏极电极之间设置有栅极绝缘层。

2.如权利要求1所述的有机半导体元件结构，其特征在于：所述保护层为介电层材料图形化形成的保护层。

3.如权利要求1所述的有机半导体元件结构，其特征在于：所述保护层为涂布形成的保护层，或/和所述栅极绝缘层为涂布形成的栅极绝缘层。

4.如权利要求1所述的有机半导体元件结构，其特征在于：所述源极电极、漏极电极、栅极电极为黄光、印制或喷印制程形成。

5.如权利要求1所述的有机半导体元件结构，其特征在于：所述栅极绝缘层为有机介电层材料的栅极绝缘层。

6.一种有机半导体元件结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

一、准备基板；

二、在基板上形成源极电极和漏极电极；

三、在源极电极和漏极电极上涂布介电层材料；

四、利用制程将介电层材料图形化形成保护层；

五、成长有机半导体层，所述保护层和有机半导体层完全覆盖所述源极电极和漏极电极；

六、利用氧离子蚀刻将有机半导体层图形化；

七、成长栅极绝缘层；

八、在栅极绝缘层上形成栅极电极。

7.一种有机半导体元件结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

一、准备基板；

二、在基板上形成栅极电极；

三、成长栅极绝缘层；

四、在栅极绝缘层上形成源极电极和漏极电极；

五、在源极电极和漏极电极上涂布介电层材料；

六、利用制程将介电层材料图形化形成保护层；

七、成长有机半导体层，所述保护层和有机半导体层完全覆盖所述源极电极和漏极电极；

八、利用氧离子蚀刻将有机半导体层图形化。

8.如权利要求6或7所述的有机半导体元件结构的制作方法，其特征在于，所述源极电极、漏极电极和栅极电极采用黄光、印制或喷印制程形成。

9.如权利要求6或7所述的有机半导体元件结构的制作方法，其特征在于，所述介电层材料为有机或无机的介电层材料。

10.如权利要求6或7所述的有机半导体元件结构的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层为有机介电层材料。