[发明专利]一种抗CMAS腐蚀的热障涂层陶瓷层的大气等离子喷涂制备方法有效
申请号: | 201510401740.0 | 申请日: | 2015-07-09 |
公开(公告)号: | CN104988455B | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 郭洪波;王红;宫声凯;徐惠彬 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | C23C4/134 | 分类号: | C23C4/134;C23C4/11 |
代理公司: | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人: | 官汉增 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷层 制备 大气等离子喷涂 热障涂层 熔融 腐蚀 渗入 热障涂层材料 热处理 耦合作用 反应层 界面处 润湿性 有效地 原有的 | ||
1.一种抗CMAS腐蚀的热障涂层陶瓷层的大气等离子喷涂制备方法,其特征在于:所述制备方法包括下列步骤,
第一步:基体预处理,并在预处理后的基体上制备第一陶瓷层——YSZ陶瓷层;
采用线切割的方法将Al2O3基体切割成薄片,将切割好的基体试样打磨、喷砂、超声波清洗和烘干的预处理;在预处理后的Al2O3基体试样上制备第一陶瓷层——YSZ陶瓷层,YSZ陶瓷层的沉积厚度为100μm;
第二步:大气等离子喷涂用粉体的制备;所述的大气等离子喷涂用粉体为LaP3O9粉体,粉体的粒径为30~50μm;
第三步:大气等离子喷涂法制备第二陶瓷层;
在YSZ陶瓷层表面沉积第二陶瓷层,工艺参数为:喷涂功率30KW,喷涂距离为100mm,送粉速度为10g/min,横向等离子枪的速度为500μm/s,Ar气流量为80slpm,H2气流量为30slpm,第二陶瓷层的沉积厚度为150μm;
第二陶瓷层中La和P的原子比为1:1,XRD物相分析结果表明第二陶瓷层是单斜相独居石结构的LaPO4。
2.一种抗CMAS腐蚀的热障涂层陶瓷层的应用,其特征在于:所述抗CMAS腐蚀的热障涂层陶瓷层采用权利要求1中制备方法制备得到;所述的热障涂层陶瓷层表面涂覆CMAS,在1250℃热处理后,在第二陶瓷层与CMAS界面处形成互反应层,阻止了CMAS的进一步渗入,YSZ陶瓷层保持了原有的相稳定性。
3.一种抗CMAS腐蚀的热障涂层,其特征在于:所述的热障涂层包括在基体上依次制备的YSZ陶瓷层和第二陶瓷层,YSZ陶瓷层的厚度为200μm,第二陶瓷层的厚度为150μm;
所述的涂层通过如下方式制备得到:
第一步:基体预处理,并在预处理后的基体上制备第一陶瓷层——YSZ陶瓷层;
采用线切割的方法将Al2O3基体切割成薄片,将切割好的基体试样打磨、喷砂、超声波清洗和烘干的预处理;在预处理后的Al2O3基体试样上制备第一陶瓷层——YSZ陶瓷层,YSZ陶瓷层的沉积厚度为100μm;
第二步:大气等离子喷涂用粉体的制备;所述的大气等离子喷涂用粉体为LaP3O9粉体,粉体的粒径为30~50μm;
第三步:大气等离子喷涂法制备第二陶瓷层;
在YSZ陶瓷层表面沉积第二陶瓷层,工艺参数为:喷涂功率30KW,喷涂距离为100mm,送粉速度为10g/min,横向等离子枪的速度为500μm/s,Ar气流量为80slpm,H2气流量为30slpm,第二陶瓷层的沉积厚度为150μm;得到满足第二陶瓷层中La和P的原子比为1:1的单斜相独居石结构的LaPO4陶瓷层。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法,例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理,例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆