[发明专利]一种抗CMAS腐蚀的热障涂层陶瓷层的大气等离子喷涂制备方法有效

专利信息
申请号: 201510401740.0 申请日: 2015-07-09
公开(公告)号: CN104988455B 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: 郭洪波;王红;宫声凯;徐惠彬 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: C23C4/134 分类号: C23C4/134;C23C4/11
代理公司: 北京永创新实专利事务所 11121 代理人: 官汉增
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷层 制备 大气等离子喷涂 热障涂层 熔融 腐蚀 渗入 热障涂层材料 热处理 耦合作用 反应层 界面处 润湿性 有效地 原有的
【权利要求书】:

1.一种抗CMAS腐蚀的热障涂层陶瓷层的大气等离子喷涂制备方法,其特征在于:所述制备方法包括下列步骤,

第一步:基体预处理,并在预处理后的基体上制备第一陶瓷层——YSZ陶瓷层;

采用线切割的方法将Al2O3基体切割成薄片,将切割好的基体试样打磨、喷砂、超声波清洗和烘干的预处理;在预处理后的Al2O3基体试样上制备第一陶瓷层——YSZ陶瓷层,YSZ陶瓷层的沉积厚度为100μm;

第二步:大气等离子喷涂用粉体的制备;所述的大气等离子喷涂用粉体为LaP3O9粉体,粉体的粒径为30~50μm;

第三步:大气等离子喷涂法制备第二陶瓷层;

在YSZ陶瓷层表面沉积第二陶瓷层,工艺参数为:喷涂功率30KW,喷涂距离为100mm,送粉速度为10g/min,横向等离子枪的速度为500μm/s,Ar气流量为80slpm,H2气流量为30slpm,第二陶瓷层的沉积厚度为150μm;

第二陶瓷层中La和P的原子比为1:1,XRD物相分析结果表明第二陶瓷层是单斜相独居石结构的LaPO4

2.一种抗CMAS腐蚀的热障涂层陶瓷层的应用,其特征在于:所述抗CMAS腐蚀的热障涂层陶瓷层采用权利要求1中制备方法制备得到;所述的热障涂层陶瓷层表面涂覆CMAS,在1250℃热处理后,在第二陶瓷层与CMAS界面处形成互反应层,阻止了CMAS的进一步渗入,YSZ陶瓷层保持了原有的相稳定性。

3.一种抗CMAS腐蚀的热障涂层,其特征在于:所述的热障涂层包括在基体上依次制备的YSZ陶瓷层和第二陶瓷层,YSZ陶瓷层的厚度为200μm,第二陶瓷层的厚度为150μm;

所述的涂层通过如下方式制备得到:

第一步:基体预处理,并在预处理后的基体上制备第一陶瓷层——YSZ陶瓷层;

采用线切割的方法将Al2O3基体切割成薄片,将切割好的基体试样打磨、喷砂、超声波清洗和烘干的预处理;在预处理后的Al2O3基体试样上制备第一陶瓷层——YSZ陶瓷层,YSZ陶瓷层的沉积厚度为100μm;

第二步:大气等离子喷涂用粉体的制备;所述的大气等离子喷涂用粉体为LaP3O9粉体,粉体的粒径为30~50μm;

第三步:大气等离子喷涂法制备第二陶瓷层;

在YSZ陶瓷层表面沉积第二陶瓷层,工艺参数为:喷涂功率30KW,喷涂距离为100mm,送粉速度为10g/min,横向等离子枪的速度为500μm/s,Ar气流量为80slpm,H2气流量为30slpm,第二陶瓷层的沉积厚度为150μm;得到满足第二陶瓷层中La和P的原子比为1:1的单斜相独居石结构的LaPO4陶瓷层。

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