[发明专利]静电保护电路及3D芯片用静电保护电路有效
申请号: | 201510401741.5 | 申请日: | 2015-07-09 |
公开(公告)号: | CN105047664B | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 单毅 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传输门电路 静电保护电路 开关电路 电路 第二控制信号 第一控制信号 半导体制造技术 芯片 静电保护能力 二极管 放电电流 静电保护 集成化 三极管 放电 导通 关断 生产成本 响应 | ||
1.一种静电保护电路,其特征在于,包括:
信号输入端口,用以接收一静电脉冲电压,
第一静电保护电路,连接于一第一参考电压源与一第二参考电压源之间,用以于所述信号输入端口接受所述静电脉冲电压状态下分别产生第一控制信号和第二控制信号;
第一开关电路,于所述第一控制信号驱动下导通所述信号输入端口与所述第一参考电压源;
第二开关电路,于所述第二控制信号驱动下导通所述信号输入端口与所述第二参考电压源;
信号输出端口;
第三开关电路,输入输出端分别连接于所述信号输出端口与所述第一参考电压源之间;所述第三开关电路的控制端与所述第二参考电压源间连接有一个受第二控制信号驱动的第六开关电路,
第四开关电路,输入输出端分别连接于所述信号输出端口与所述第二参考电压源之间;所述第四开关电路的控制端与所述第一参考电压源间连接有一个受第一控制信号驱动的第六开关电路。
2.根据权利要求1所述的静电保护电路,其特征在于,还包括
第一传输门电路,可控制地导通一所述第三开关电路的控制端与一功能单元的第一信号输出端;
第二传输门电路,可控制地导通一所述第四开关电路的控制端与所述功能单元的第二信号输出端。
3.根据权利要求1所述的静电保护电路,其特征在于,所述第一静电保护电路,包括:
耦合电路,由一电阻和一电容串联形成,所述电阻与所述电容的连接点形成一所述耦合电路输出端;
第一反相器,用以产生第一控制信号,输入端连接所述耦合电路输出端,输出端形成所述第一控制信号的输出端;
第二反相器,用以产生第二控制信号,输入端连接所述第一控制信号的输出端,输出端形成所述第二控制信号的输出端;
第五开关电路,用以于所述第二控制信号作用下,于电源与电源地之间形成放电电流支路。
4.根据权利要求2所述的静电保护电路,其特征在于,
所述第一传输门电路,输入端连接所述功能单元第一输出端,第一控制端连接所述第一控制信号的输出端,第二控制端连接所述第二控制信号上的输出端,输出端连接所述第三开关电路的控制端;
所述第二传输门电路,输入端连接所述功能单元第二输出端,第一控制端连接所述第一控制信号的输出端,第二控制端连接所述第二控制信号的输出端,输出端连接所述第四开关电路的控制端。
5.根据权利要求2所述的静电保护电路,其特征在于,
于所述第一开关电路的输入端与输出端之间反向并联第一二级管;
于所述第二开关电路的输入端与输出端之间反向并联第二二级管;
于所述第三开关电路的输入端与输出端之间反向并联第三二级管;
于所述第四开关电路的输入端与输出端之间反向并联第四二级管。
6.根据权利要求2所述的静电保护电路,其特征在于,所述静电保护电路具有第一工作模式和第二工作模式,
于所述静电保护电路工作于第一工作模式状态下,所述第一传输门电路、和/或所述第二传输门电路工作于导通状态;
于所述静电保护电路工作于第二工作模式状态下,所述第一传输门电路且所述第二传输门电路工作于断开状态。
7.一种3D芯片用静电保护电路,其特征在于:包括
复数层IC芯片,每一层所述IC芯片接设置有用以连接其他层所述IC芯片的通孔,通过所述通孔实现复数层所述IC芯片之间的电信号传输,
每个所述IC芯片包括复数个静电保护电路,信号输入端、信号输出端,其中任一层所述IC芯片的信号输入端连接一静电测试脉冲,其他任一层所述IC芯片的所述信号输出端接地。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的