[发明专利]一种发光二极管的制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制作方法，其特征包含以下步骤：

（1）将衬底蚀刻出凹陷的半球状图形；

（2）将聚苯乙烯球沉积在半球状图形中；

（3）在聚苯乙烯球上方沉积一缓冲层；

（4）采用高温或激光照射聚苯乙烯球，将其分解，形成球状空气层的缓冲层模板；

（5）在球状空气层的缓冲层模板外延生长发光二极管结构，形成具有球状空气层结构的发光二极管，增大出光角，提升光提取效率，从而提升发光效率和发光强度。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述衬底为蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化铝、ZnO适合外延生长的衬底。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的步骤（1）采用干法蚀刻出凹陷的半球状图形。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的步骤（1）的半球状图形的直径为0.01~10 μm，图形间距为0.01~10 μm。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的步骤（2）沉积在凹陷的半球状图形的材料为聚苯乙烯。

6.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的步骤（2）沉积聚苯乙烯的方法有旋涂法或机械转移法或纳米压印能将聚苯乙烯沉积进半球状图形的方法。

7.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的步骤（3）在聚苯乙烯球上方沉积缓冲层的材料为GaN、AlN、InN。

8.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的步骤（3）在聚苯乙烯球上方沉积缓冲层的方法为MOCVD外延或MBE外延或磁控溅射或电子束蒸发沉积缓冲层的方法。

9.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的步骤（3）在聚苯乙烯球上方沉积缓冲层的厚度为0.001~10μm。

10.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的步骤（4）的方法为加热样品或激光照射样品，使聚苯乙烯球分解成气体逸出，形成具有空气层的模板。

11.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的步骤（4）的激光波长为100~350nm，或者采用温度为100~2000度加热。

12.根据权利要求1所述的一种发光二极管的制作方法，其特征在于：所述的步骤（5）在球状空气层的缓冲层模板采用MOCVD金属有机化学气相沉积方法外延生长发光二极管结构。