[发明专利]Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路

权利要求书

1.一种Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，其特征在于：包括第一组高频自激推挽振荡电路、第二组高频自激推挽振荡电路、MCU、“日”字型磁芯的磁集成变压器TR和MCU供电取样电路，所述第一组高频自激推挽振荡电路的绕组N11和绕组N12分别绕在所述磁集成变压器TR的一个边柱上，所述第二组高频自激推挽振荡电路的绕组N14和绕组N13分别绕在所述磁集成变压器TR的另一个边柱上，所述第一组高频自激推挽振荡电路和所述第二组高频自激推挽振荡电路的输入端分别与交流电源Uin的两端电性连接，所述MCU通过开关管T1和开关管T2分别调控所述第一组高频自激推挽振荡电路和所述第二组高频自激推挽振荡电路的APFC过程；所述MCU供电取样电路的绕组NV绕在所述磁集成变压器TR的中柱上，所述MCU供电取样电路根据所述绕组NV产生的感应电信号给所述MCU提供电能和取样信号，所述MCU对接收到的取样信号进行处理，并根据处理后的信息控制所述开关管T1和所述开关管T2的工作。

2.根据权利要求1所述的Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，其特征在于：所述第一组高频自激推挽振荡电路包括所述绕组N11、所述绕组N12、推挽开关S1和推挽开关S2，所述绕组N11和所述绕组N12有第一中心抽头，交流电源Uin的一端通过差模电感L2与所述第一中心抽头连接，所述绕组N11的同名端连接整流二极管D01的正极，所述绕组N12的异名端连接整流二极管D02的正极，所述整流二极管D01和所述整流二极管D02的负极连接电容C01一端，所述电容C01另一端接地。

3.根据权利要求2所述的Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，其特征在于：还包括感应磁环B1，绕组Ng1、绕组Ng2、绕组Ns1和绕组Ns2对应所述感应磁环B1设置，所述绕组Ng1的异名端通过电阻Rg1连接所述推挽开关S1的控制端，所述绕组Ng2的同名端通过电阻Rg2连接所述推挽开关S2的控制端，所述绕组Ng1的同名端和所述绕组Ng2的异名端分别与电阻Rj的一端连接，所述电阻Rj的另一端连接所述电容C01的一端；所述绕组N11的同名端连接所述推挽开关S1的一端，所述推挽开关S1的另一端连接所述绕组Ns1一端，所述绕组Ns1的另一端连接所述绕组Ns2的一端，所述绕组Ns2的另一端通过所述推挽开关S2连接所述绕组N12的异名端；所述开关管T1的一端与所述绕组Ns1的另一端连接，所述开关管T1的另一端通过电阻rs1接地，所述开关管T1的控制端连接所述MCU。

4.根据权利要求3所述的Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，其特征在于：电容Cs1和电阻Rs1并联并且其并联电路的两端分别与所述绕组N12的异名端和所述推挽开关S1的控制端连接，所述推挽开关S1的控制端连接稳压二极管Ds1的负极，所述稳压二极管Ds1的正极连接所述推挽开关S1的另一端；电容Cs2和电阻Rs2并联并且其并联电路的两端分别与所述绕组N11的同名端和所述推挽开关S2的控制端连接，所述推挽开关S2的控制端连接稳压二极管Ds2的负极，所述稳压二极管Ds2的正极连接所述绕组Ns2的另一端。

5.根据权利要求2所述的Boost无直流偏磁无电解电容的APFC电路，其特征在于：所述第二组高频自激推挽振荡电路包括所述绕组N14、所述绕组N13、推挽开关S3和推挽开关S4，所述绕组N14和所述绕组N13有第二中心抽头，交流电源Uin的另一端通过差模电感L1与所述第二中心抽头连接，所述绕组N14的同名端连接整流二极管D04的正极，所述绕组N13的异名端连接整流二极管D03的正极，所述整流二极管D04和所述整流二极管D03的负极连接所述电容C01一端。