[发明专利]具有滤光器的紫外传感器

权利要求书

1.一种光传感器，包括：

具有表面的衬底；

光电探测器，形成在所述衬底上且配置为探测光并提供响应信号；和

滤光器，设置在所述衬底的所述表面上，且配置为阻止可见光并允许在至少一部分紫外光谱波长中的光通过而到达所述光电探测器。

2.根据权利要求1所述的光传感器，其中，所述衬底为绝缘体上硅衬底(SOI)。

3.根据权利要求1所述的光传感器，其中，所述滤光器包括二氧化铪。

4.根据权利要求1所述的光传感器，其中，所述滤光器配置为允许在UVA或UVB光谱波长中之一中的光通过并到达所述光电探测器。

5.根据权利要求4所述的光传感器，其中，所述滤光器配置为允许在UVA光谱波长中的光通过并到达所述光电探测器。

6.根据权利要求1所述的光传感器，其中，所述滤光器包括加权因子来提供McKinlay-Diffey红斑作用光谱作为所述光电探测器的输出。

7.根据权利要求1所述的光传感器，其中，所述滤光器配置为中间McKinlay-Diffey红斑作用光谱滤光器，其控制UVA光和UVB光中的至少之一的通过量。

8.根据权利要求1所述的光传感器，其中，所述衬底的至少一部分配置成垂直结合或水平结合中的至少之一。

9.根据权利要求1所述的光传感器，进一步包括滤光器，配置为阻碍所有的光进入光电探测器以从所述光电探测器提供暗电流值。

10.根据权利要求9所述的光传感器，进一步包括电路，配置为当至少一部分光传至光电探测器时从所述光电探测器提供的另一个信号中减去所述暗电流。

11.根据权利要求1所述的光传感器，其中，所述光电探测器包括第一光电探测器和第二光电探测器，其中所述滤光器包括设置在所述衬底的所述表面上且配置为阻碍可见光以及允许UVA光和UVB光传至第一光电探测器的第一滤光器，其中所述滤光器进一步包括配置在所述衬底的所述表面上且配置为阻碍可见光以及允许UVA光传至第二光电探测器的第二滤光器，以及其中从第一光电探测器的输出信号减去第二光电探测器的输出信号提供了检测到的UVB光的指示。

12.一种方法，包括：

在衬底上形成光电探测器，所述光电探测器配置为检测光并提供响应信号；

在所述衬底的表面上形成滤光器，所述滤光器配置为阻碍可见光且允许在至少一部分紫外光谱波长中的光传至所述光电探测器。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述衬底的表面上形成滤光器包括用光刻胶涂敷晶圆的一部分，所述晶圆包括衬底。

14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括，在所述表面上沉积滤光器材料。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括，实施剥离技术来除去光刻胶。

16.根据权利要求12所述的方法，进一步包括，从包括所述衬底的晶圆上将紫外传感器单个化。

17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括，封装所述紫外传感器来形成紫外传感器封装件。

18.根据权利要求12所述的方法，进一步包括，用激光退火修改所述衬底的至少一部分来提供超浅掺杂剂分布。

19.根据权利要求12所述的方法，进一步包括，用Epi生长技术修改所述衬底的至少一部分来提供超浅掺杂剂分布。

20.根据权利要求12所述的方法，进一步包括，提供电路，以从所述光电探测器提供的信号中减去暗电流值。

21.一种蓝光传感器，包括：

具有表面的绝缘体上硅(SOI)衬底；

光电探测器，形成在所述衬底上且配置为检测光并提供响应信号；以及

滤光器，设置在所述表面上且配置为阻碍紫外光以及允许在蓝光光谱波长的至少一部分的光传至所述光电探测器，其中所述光电探测器配置为探测所述蓝光光谱波长并提供响应信号。