[发明专利]可控硅电压保护电路和方法、调光电路及照明设备

说明书

技术领域

本发明实施例涉及电路领域，尤其涉及一种可控硅电压保护电路和方法、调光电路及照明设备。

背景技术

可控硅是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。

家用电器中的调光灯、调速风扇、摄像机等及很多工业控制设备都大量使用了可控硅器件进行整流和调压等。以家用电器中的调光灯为例，由于LED具有发光效率高、使用寿命长、稳定性好等优点，调光灯一般使用的是LED照明灯或者LED背光源进行照明。用户在使用LED照明灯或LED背光源时，经常直接将LED照明电路接入现有的可控硅调光器，可控硅调光器中的可控硅器件对市电进行斩波之后，直接输入LED照明灯或者LED背光源，造成输入电流变大，导致LED照明灯或者LED背光源等负载被破坏。

发明内容

本发明实施例提供的可控硅电压保护电路和方法、调光电路及照明设备，用于解决用户直接将LED照明电路接入可控硅调光器，造成斩波之后的交流市电直接输入LED照明电路，造成输入电流变大，破坏负载的问题。

本发明第一方面提供一种可控硅电压保护电路，包括：可控硅检测电路和保护电路；所述可控硅检测电路的第一端与电压采样点连接；所述电压采样点设置在可控硅调节器与功率转换电路的连接线路上，所述可控硅检测电路的第二端与所述保护电路的第一端连接；所述保护电路的第二端与功率转换电路连接；

所述可控硅检测电路用于在可控硅接入时，检测电压采样点的电压并输出到所述保护电路；所述保护电路用于根据所述电压采样点的电压控制所述功率转换电路的启动或关闭。

在本发明的一实施例中，所述可控硅电压保护电路还包括：整流电路，所述整流电路连接在所述电压采样点与所述可控硅调节器之间，用于将可控过调节器输出的电流进行整流再输出到所述电压采样点。

在本发明的一实施例中，所述可控硅检测电路包括：突变电压检测电路、电流电压转换电路和峰值电压采样电路；所述突变电压检测电路的第一端与所述电压检测点连接，所述突变电压检测电路的第二端与所述电流电压转换电路的第一端连接；所述电流电压转换电路的第二端与所述峰值电压采样电路的第一端连接；所述峰值电压采样电路的第二端与所述保护电路的第一端连接；

所述突变电压检测电路用于在可控硅接入时，检测所述电压采样点的突变电压产生的电流信号；所述电流电压转换电路用于将突变电压产生的电流信号转换为电压信号，并将所述电压信号通过所述峰值电压采样电路输出到所述保护电路。

在本发明的一实施例中，所述保护电路包括电压采样电路和迟滞比较器，所述电压采样电路的第一端与所述峰值电压采样电路的第二端连接，所述电压采样电路的第二端与所述迟滞比较器的第一输入端连接；所述迟滞比较器的第二输入端用于输入参考电压；所述迟滞比较器的输出端与所述功率转换电路连接；所述电压采样电路用于根据所述峰值电压采样电路输出的电压信号获取输出电压，所述迟滞比较器用于将所述输出电压与参考电压进行比较；

若所述迟滞比较器比较出所述输出电压大于参考电压，则输出低电平关闭所述功率转换电路；若所述迟滞比较器比较出所述输出电压小于参考电压，则输出高电平启动所述功率转换电路。

在本发明的一实施例中，所述突变电压检测电路包括第一电容，用于在可控硅接入时，检测所述电压采样点的突变电压产生的电流信号。

在本发明的一实施例中，所述电流电压转换电路包括并联连接的第一电阻和第一二极管。

在本发明的一实施例中，所述峰值电压采样电路包括第二电阻、第二电容和第二二极管；所述第二电阻和所述第二电容并联连接，所述第二二极管的输出端与所述第二电阻和所述第二电容并联组成的电路的一端串联连接；

所述第二二极管的输入端与所述第一电阻和所述第一二极管并联组成的电路的第一端串联连接；所述第一电阻和所述第一二极管并联组成的电路的第一端为所述第一二极管输出的一端。

本发明第二方面提供一种可控硅电压保护方法，应用于可控硅电压保护电路，所述可控硅电压保护电路包括可控硅检测电路和保护电路；所述可控硅检测电路的第一端与电压采样点连接；所述电压采样点设置在可控硅调节器与功率转换电路的连接线路上，所述可控硅检测电路的第二端与所述保护电路的第一端连接；所述保护电路的第二端与功率转换电路连接；所述方法包括：

在可控硅与功率转换电路之间设置电压采样点；