[发明专利]一种半透明的碲锌镉薄膜太阳电池在审
| 申请号： | 201510404295.3 | 申请日： | 2015-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN105161561A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 武莉莉;冯良桓;李卫;张静全;王文武;徐航;黎兵;曾广根;刘才 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L31/065 | 分类号： | H01L31/065;H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/0445 |
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| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半透明 碲锌镉 薄膜 太阳电池 | ||
1.一种半透明的碲锌镉薄膜太阳电池，其特征是具有如下两种结构：（1）TCO/CdS/Cd1-xZnxTe/ZnTe:Cu/透明背电极；（2）TCO/CdS/Cd1-xZnxTe:Cu/透明背电极。
2.如权利要求1所述的结构为TCO/CdS/Cd1-xZnxTe/ZnTe:Cu/透明背电极的半透明碲锌镉薄膜太阳电池，其特征是在TCO/CdS衬底上先沉积一层Cd1-xZnxTe薄膜，然后顺序沉积ZnTe:Cu薄膜和透明背电极。
3.如权利要求1所述的结构为TCO/CdS/Cd1-xZnxTe:Cu/透明背电极的半透明碲锌镉薄膜太阳电池，其特征是在TCO/CdS衬底上先沉积一层Cd1-xZnxTe:Cu薄膜，然后沉积透明背电极。
4.如权利要求1所述的半透明碲锌镉薄膜太阳电池，其特征是Cd1-xZnxTe薄膜的x应满足0.1≤x≤1，相应薄膜的带隙在1.6eV～2.2eV之间变化。
5.如权利要求1所述的半透明碲锌镉薄膜太阳电池，其特征是Cd1-xZnxTe或Cd1-xZnxTe:Cu薄膜的厚度在100nm～500nm。
6.如权利要求1所述的半透明碲锌镉薄膜太阳电池，其特征是p型Cd1-xZnxTe:Cu薄膜采用Cu作掺杂剂。
7.如权利要求1所述的半透明碲锌镉薄膜太阳电池，其特征是透明背电极采用p型透明导电膜（CuAlO2或p-ZnO）或者石墨烯。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
