[发明专利]背电极及其制作方法和电池组件有效
申请号: | 201510404456.9 | 申请日: | 2015-07-10 |
公开(公告)号: | CN105070770B | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
发明(设计)人: | 李沅民;何颜玲;彭长涛;许永元;沈章大;赵沙桐;郭勇 | 申请(专利权)人: | 福建铂阳精工设备有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0376 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 韩建伟,张永明 |
地址: | 362000 福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 及其 制作方法 电池 组件 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池光伏技术领域,具体而言,涉及一种背电极及其制作方法和电池组件。
背景技术
太阳能电池组件可以用作光伏建筑一体化(Building Integrated Photovoltaic,简称为BIPV)产品上。在BIPV应用中,太阳能电池组件的颜色是一项很重要的性能参数,颜色的可变范围决定了光伏组件在与建筑设计结合时的便利程度。现有的太阳能电池组件通常为灰黑色,颜色单一,造成太阳能电池组件与建筑设计结合时不便利。
针对上述的问题,目前尚未提出有效的解决方案。
发明内容
本发明实施例提供了一种背电极及其制作方法和电池组件,以至少解决由于太阳能电池组件的颜色单一造成的太阳能电池组件与建筑结合时不便利的技术问题。
根据本发明实施例的一个方面,提供了一种背电极,包括:第一透明导电氧化物层,其中,第一透明导电氧化物层为掺杂有金属元素的薄膜材料层,第一透明导电氧化物层用于控制背电极的颜色。
进一步地,该金属元素的掺杂浓度为0.5%~3.0%。
进一步地,第一透明导电氧化物层掺杂的金属元素为铝或镓或硼。
进一步地,第一透明导电氧化物层为掺杂铝的氧化锌层。
进一步地,第一透明导电氧化物层的厚度范围为5nm~300nm。
进一步地,该背电极还包括:金属层,第一面与第一透明导电氧化物层贴合设置,其中,金属层用于控制背电极的颜色。
进一步地,该金属层的材料为银或铝或镍铬合金。
进一步地,金属层的厚度不大于20nm。
进一步地,该背电极还包括:第二透明导电氧化物层,与金属层的第二面贴合设置,其中,第二透明导电氧化物层为掺杂有金属元素的薄膜材料层,第二透明导电氧化物层用于控制背电极的颜色。
根据本发明实施例的另一方面,还提供了一种电池组件,包括上述背电极。
根据本发明实施例的又一方面,还提供了一种背电极的制作方法,背电极包括第一透明导电氧化物层,第一透明导电氧化物层用于控制背电极的颜色,方法包括:在非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层。
进一步地,在非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层之前,该方法还包括:确定背电极的目标颜色参数;以及根据目标颜色参数计算背电极的厚度参数,其中,厚度参数包括第一厚度、第二厚度和第三厚度,第一厚度为第一透明导电氧化物层的厚度,第二厚度为金属层的厚度,第三厚度为第二透明导电氧化物层的厚度,在非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层包括:根据第一厚度在非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层,在非晶硅层上沉积第一透明导电氧化物层之后,方法还包括:判断第二厚度是否为0;在判断出第二厚度不为0时,根据第二厚度在第一透明导电氧化物层上沉积金属层;判断第三厚度是否为0;以及在判断出第三厚度不为0时,根据第三厚度在金属层上沉积第二透明导电氧化物层。
在本发明实施例中,采用包括如下结构的背电极:第一透明导电氧化物层,其中,第一透明导电氧化物层为掺杂有金属元素的薄膜材料层,第一透明导电氧化物层用于控制背电极的颜色,通过控制第一透明导电氧化物层的厚度得到不同颜色的背电极,从而实现了提高太阳能电池组件与建筑结合的便利性的技术效果,进而解决了由于太阳能电池组件的颜色单一造成的太阳能电池组件与建筑结合时不便利的技术问题。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1是根据本发明实施例的背电极的示意图;
图2是根据本发明第一实施例的电池组件的示意图;
图3是根据本发明第二实施例的电池组件的示意图;以及
图4是根据本发明实施例的背电极的制作方法的流程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的