[发明专利]IGBT子模组单元及其封装模块

说明书

本发明公开了一种IGBT子模组单元及其封装模块，属于半导体器件封装技术领域，解决现有压接型IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。该IGBT子模组单元包括：IGBT芯片；发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。

技术领域

本发明涉及半导体器件封装技术领域，具体的说，涉及一种IGBT子模组单元及其封装模块。

背景技术

如今，IGBT作为一种主流的开关器件，其封装方式也已经多样化，目前较为普遍使用的有两种：塑封模块式和压接式。在现有压接型IGBT的典型封装结构中，IGBT芯片设置在IGBT子模组单元内，多个IGBT子模组单元被设置在陶瓷管壳内。多个IGBT芯片的栅极、发射极、辅助发射极和集电极汇流引出到陶瓷管壳外与其他器件连接。其中IGBT芯片的辅助发射极和栅极引出连接到栅极驱动电路中。

在现有的这种IGBT封装结构中，由于IGBT芯片的辅助发射极都是通过发射极铜块即主电极端子汇连到外部辅助发射极端子，导致多IGBT芯片之间的辅助发射极的路径不对称，也就造成了栅极-辅助发射极路径即栅极驱动回路的不对称，而且当模块尺寸越大、并联芯片数量越多时，这种不对称性越严重。从而造成多IGBT芯片之间控制回路杂散参数的不一致，带来IGBT芯片开关特性不一致以及多IGBT芯片并联均流异常等问题。

因此，亟需一种能够解决多IGBT芯片之间辅助发射极回路的杂散参数不一致问题的IGBT子模组单元及其封装模块。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种IGBT子模组单元及其封装模块，以解决现有的IGBT封装结构中辅助发射极回路的杂散参数不一致的技术问题。

本发明的实施例提供一种IGBT子模组单元，所述子模组单元包括：

IGBT芯片；

发射极钼片，其一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；

集电极钼片，其一面与所述IGBT芯片的集电极接触；

第一导电件，其一端与所述IGBT芯片的发射极接触；

安装底座，其上设置有用于容纳所述发射极钼片的第一孔洞和用于使所述第一导电件从中穿过的第二孔洞，所述安装底座的第一孔洞的边缘上还设置有卡接部件。

进一步的，所述发射极钼片的形状为大致的四边形，其中所述四边形的至少一个角为凹进的弧形，所述安装底座的第一孔洞的截面的形状与所述发射极钼片的形状相对应。

进一步的，所述IGBT子模组单元还包括第二导电件，其一端与所述IGBT芯片的栅极接触，所述安装底座还包括第三孔洞，其用于使所述第二导电件从中穿过。

本发明的实施例提供一种压接型IGBT封装模块，其包括：

IGBT子模组单元；

封装壳体，其包括顶部、磁环和底部，所述顶部和底部的边缘分别与磁环上下开口接合，所述顶部与所述集电极钼片另一面接触；

多个发射极凸台，所述发射极凸台设置在所述封装壳体底部上，所述安装底座通过所述卡接部件卡接在所述发射极凸台上，所述发射极凸台与所述发射极钼片另一面接触；

PCB电路板，其设置在多个所述发射极凸台之间的间隙内，所述PCB电路板上设计有辅助发射极线路，所述第一导电件另一端穿过所述第二孔洞与所述辅助发射极线路接触，所述辅助发射极线路的设计使得多个所述IGBT芯片之间辅助发射极回路的杂散参数一致。