[发明专利]相变化存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种相变化存储装置的制造方法，其特征在于，包含：

提供一基板，其包含一存取电路，其中该存取电路包含至少一个导电接点；

形成多个导电结构于该基板上，其中该导电结构与该导电接点电性连接，该导电结构包含一导电材料以及一屏障层，且该屏障层包围该导电材料的一侧面以及一底面；

部分移除该屏障层，使该屏障层的顶表面低于该导电材料的顶表面；

部分移除该导电材料，使曝露出来的该导电材料的内径由该导电材料的该底面往该导电材料的顶表面逐渐缩小；

形成一第二介电层以覆盖该导电材料；以及

薄化该第二介电层，使该导电材料曝露出来；

其中部分移除该导电材料的步骤包含：

形成一遮罩覆盖该屏障层以及该导电材料；

进行一第一移除步骤，以部分移除该遮罩以形成一遮罩开口，其中该遮罩开口的一顶部内径大于该遮罩开口的一底部内径，使该遮罩开口的内壁成一斜面，该遮罩开口的该顶部涵盖二个相邻该导电材料，且该遮罩覆盖该导电材料；以及

进行一第二移除步骤，以部分移除该遮罩并同时部分移除该导电材料。

2.如权利要求1所述的相变化存储装置的制造方法，其特征在于，在该第二移除步骤中，以相近或相同于该遮罩的一蚀刻率蚀刻该导电材料，使该导电材料形成与该遮罩的该斜面相似的一斜面。

3.如权利要求1所述的相变化存储装置的制造方法，其特征在于，形成该导电结构于该基板的步骤包含：

形成一第一介电层于该基板上；

形成至少一个通孔贯穿该第一介电层，使该存取电路的该导电接点曝露出来；

形成该屏障层于该通孔的侧壁与底部；以及

填充该导电材料于该通孔，并与该存取电路的该导电接点电性连接。

4.如权利要求1所述的相变化存储装置的制造方法，其特征在于，更包含：

形成图案化的相变化材料于该导电材料上，并与该导电材料电性连接；以及

形成一顶电极于该相变化材料上。

5.如权利要求4所述的相变化存储装置的制造方法，其特征在于，该第二介电层的材料包含二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；该屏障层的材料包含钛、氮化钛、氮化钽或钽；该导电材料包含钨、钛、氮化钛、氮化铝钛或氮化硅钛；以及该相变化材料包含锗、锑以及碲至少其中之一的硫属化合物或合金。

6.一种相变化存储装置，包含：

一基板，其包含一存取电路；以及

多个存储单元，其设置于该基板，其中每一该存储单元包含：

一底电极，其与该存取电路电性连接，其中该底电极设置于一第一介电层中；

一屏障层，其设置于该底电极与该第一介电层以及该存取电路之间；以及

一加热器，其延伸自该底电极，且该加热器的一侧以一第二介电层覆盖并曝露出该加热器的一顶表面，其中该加热器的内径自该底电极往该加热器的该顶表面逐渐缩小而形成一斜面，且该斜面与另一相邻该加热器的该斜面彼此相对。

7.如权利要求6所述的相变化存储装置，其特征在于，该屏障层的顶部低于该加热器的该顶表面。

8.如权利要求6所述的相变化存储装置，其特征在于，该存储单元更包含：

一相变化材料，其设置于该加热器的该顶表面上；以及

一顶电极，其设置于该相变化材料上。

9.如权利要求8所述的相变化存储装置，其特征在于，该第二介电层的材料包含二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅；该屏障层的材料包含钛、氮化钛、氮化钽或钽；该底电极以及该加热器的材料包含钨、钛、氮化钛、氮化铝钛或氮化硅钛；以及该相变化材料包含锗、锑以及碲至少其中之一的硫属化合物或合金。