[发明专利]显示装置和用于制造该显示装置的方法有效
申请号: | 201510405309.3 | 申请日: | 2015-07-10 |
公开(公告)号: | CN105321981B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 权昭罗;高在庆 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/84 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 用于 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:
基底,包括显示区域和非显示区域;
共电极线,位于所述基底的所述非显示区域中,以及
平坦化层,位于所述共电极线的一部分上,
其中,所述共电极线包括:
线单元,沿所述非显示区域的边延伸并且与所述平坦化层至少部分地叠置;以及
多个凸起,沿着与所述显示区域相反的方向从所述线单元突出,并且在平面图中与所述平坦化层分隔开。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述共电极线包括金属。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示区域包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极,所述共电极线包括与所述源电极和所述漏电极的材料相同的材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述多个凸起以设定的距离彼此分隔开。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述多个凸起以不同的距离彼此分隔开。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述凸起具有多边形或半圆形的形状。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示区域包括显示元件,所述显示元件包括:
像素电极,位于所述基底上;
发光层,位于所述像素电极上;以及
共电极,位于所述发光层上,
其中,所述共电极结合到所述共电极线。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括结合到所述共电极线的共电极结合部。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述共电极结合部包括与所述像素电极的材料相同的材料。
10.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括位于所述基底上以限定像素区域的像素限定层,
其中,所述像素电极和所述发光层位于所述像素区域中。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述多个凸起中的每个凸起具有设定的长度,所述长度大于相邻的凸起之间的距离。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其特征在于,所述长度在2μm至2000μm的范围内。
13.一种制造显示装置的方法,其特征在于,所述方法包括:
在基底上形成显示区域和非显示区域;
在所述基底上的所述非显示区域中形成共电极线;以及
在所述共电极线的一部分上形成平坦化层,
其中,所述共电极线包括:
线单元,沿所述非显示区域的边延伸并且与所述平坦化层至少部分地叠置;以及
多个凸起,沿着与所述显示区域相反的方向从所述线单元突出,并且在平面图中与所述平坦化层分隔开。
14.根据权利要求13所述的制造显示装置的方法,其特征在于,形成所述显示区域的步骤包括在所述基底上形成薄膜晶体管,形成所述薄膜晶体管的步骤包括:
形成半导体层;
形成与所述半导体层的至少一部分叠置的栅电极;以及
形成结合到所述半导体层的源电极和与所述源电极分隔开并结合到所述半导体层的漏电极,
其中,利用与形成所述共电极线的工艺相同的工艺来执行形成所述源电极和所述漏电极的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的