[发明专利]一种具有替换行或列的MRAM芯片及替换、读写方法

权利要求书

1.一种MRAM芯片，包括一个或多个由MRAM存储单元组成的阵列，每个阵列与控 制电路连接，所述控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器以及输 入输出控制，其特征在于，每个所述阵列包括多个替换行或列，所述替换行或列用 于替换具有坏MRAM存储单元的行或列。

2.如权利要求1所述的MRAM芯片，其特征在于，每个所述替换行或列包括非易失 的地址寄存器，用于存储被替换行或列的地址。

3.如权利要求1所述的MRAM芯片，其特征在于，所述地址寄存器的位数取决于每 个阵列中的MRAM存储单元的行数或列数。

4.一种如权利要求1-3任一项所述的MRAM芯片的替换方法，其特征在于，所述替 换方法包括以下步骤：

(1)MRAM芯片的自测试电路对MRAM芯片的每一行或列进行读写测试；

(2)如果发现一个坏存储单元，所述坏存储单元所在的行或列标定为坏行或坏列， 选择一个未使用的替换行或列，将所述坏行或坏列的地址写入选中的替换行或列的 地址寄存器。

5.一种如权利要求1-3任一项所述的MRAM芯片的读写方法，MRAM阵列具有替换 行，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)收到读写操作的地址，将所述地址发给行地址解码器、列地址解码器以及所 有替换行；

(2)如果所述地址对应的行标定为坏行，地址寄存器中存储的地址与所述地址对 应的行的地址相同的替换行打开，进行读写操作，并禁止所述行地址解码器打开所 述地址对应的行。

6.如权利要求5所述的MRAM芯片的读写方法，其特征在于，步骤(2)包括以下 步骤：

(21)替换行比较行地址与所述替换行的地址寄存器中存储的地址；

(22)如果二者相同，打开所述替换行；

(23)将行地址解码器的使能位置0。

7.一种如权利要求1-3任一项所述的MRAM芯片的读写方法，MRAM阵列具有替换 列，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)收到读写操作的地址，将所述地址发给行地址解码器、列地址解码器以及所 有替换列；

(2)如果所述地址对应的列标定为坏列，地址寄存器中存储的地址与所述地址对 应的列的地址相同的替换列打开，进行读写操作，并禁止所述列地址解码器打开所 述地址对应的列。

8.如权利要求7所述的MRAM芯片的读写方法，其特征在于，步骤(2)包括以下 步骤：

(21)替换列比较列地址与所述替换列的地址寄存器中存储的地址；

(22)如果二者相同，打开所述替换列；

(23)将列地址解码器的使能位置0。