[发明专利]等离子体处理装置有效

专利信息
申请号: 201510405910.2 申请日: 2012-03-30
公开(公告)号: CN104994676B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 山泽阳平 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:

具有电介质窗的处理容器;

基板保持部,其在所述处理容器内保持被处理基板;

处理气体供给部,其向所述处理容器内供给所希望的处理气体,以对所述基板实施所希望的等离子体处理;

内侧和外侧天线线圈,其在所述电介质窗外沿径方向隔开间隔地分别配置于内侧和外侧,以在所述处理容器内通过电感耦合而生成处理气体的等离子体;

高频供电部,其将适合所述处理气体的高频放电的频率的高频电力供给到内侧和外侧天线线圈;

浮置线圈,其被设置为电浮置状态,被配置在与内侧和外侧天线线圈中的至少一方通过电磁感应能够耦合的位置且被配置于所述处理容器外;和

电容器,其被设置于所述浮置线圈的环内,其中,

所述内侧天线线圈具有单一或串联连接的内侧线圈段,

所述外侧天线线圈在环绕方向上被分割,具有电并联连接的多个外侧线圈段。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述内侧线圈段在环绕方向上至少绕一周。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述内侧线圈段比所述高频的1/4波长短。

4.如权利要求1~3中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述多个外侧线圈段以整体上填埋环绕方向的一周或其大部分的方式在空间上串联配置。

5.如权利要求1~3中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

在所述多个外侧线圈段之间,各个所述外侧线圈段的高频入口端与另一所述外侧线圈段的高频出口端隔着外侧间隙而邻接,各个所述外侧线圈段的高频出口端与另一所述外侧线圈段的高频入口端隔着外侧间隙而邻接。

6.如权利要求1~3中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述多个外侧线圈段整体上沿环绕方向至少绕一周。

7.如权利要求1~3中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述多个外侧线圈段都比所述高频的1/4波长短。

8.如权利要求1~3中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述多个外侧线圈段具有大约相等的自感。

9.如权利要求1~3中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

在所述多个外侧线圈段内分别流动的电流的方向在环绕方向上全部相同。

10.如权利要求1~3中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

在所述多个外侧线圈段内分别流动的电流的电流量大致相同。

11.如权利要求1~3中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

在所述内侧天线线圈内流动的电流的方向和在所述外侧天线线圈内流动的电流的方向在环绕方向上相同。

12.如权利要求1~3中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述内侧天线线圈和所述外侧天线线圈在所述高频供电部侧的第一节点和接地电位侧的第二节点之间电并联地连接。

13.如权利要求12所述的等离子体处理装置,其特征在于:

在所述第一节点和所述第二节点之间,在所述内侧线圈段上电串联地连接有内侧阻抗调节部,所述多个外侧线圈段均没有电连接阻抗调节部。

14.如权利要求12所述的等离子体处理装置,其特征在于:

在所述第一节点和所述第二节点之间,在所述多个外侧线圈段上分别电串联地连接有多个外侧个别阻抗调节部,在所述内侧线圈段上没有电连接阻抗调节部。

15.如权利要求12所述的等离子体处理装置,其特征在于:

在所述第一节点和所述第二节点之间,在所述内侧线圈段上电串联地连接有内侧阻抗调节部,在所述多个外侧线圈段上分别电串联地连接有多个外侧个别阻抗调节部。

16.如权利要求1~3中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于:

所述浮置线圈在径方向上被配置于所述内侧天线线圈和所述外侧天线线圈之间。

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