[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。

【背景技术】

传统的薄膜晶体管阵列基板的制作过程一般都需要在钝化层上设置通孔，以及在所述钝化层上设置凹槽，并在所述钝化层上的表面和所述凹槽内设置像素电极层。其中，该像素电极层通过所述通孔与所述薄膜晶体管阵列基板中的数据线层连接。

在上述传统的技术方案中，在所述钝化层上设置所述通孔和在所述钝化层上设置所述凹槽是分开实施的，也就是说，在所述钝化层上设置所述通孔和在所述钝化层上设置所述凹槽是两个独立的步骤。

针对上述两个独立的步骤，需要两次不同的NormalMask(普通掩模)光罩制程，这导致上述技术方案具有较高的成本，并且使得所述薄膜晶体管阵列基板的制作效率不高。

故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，其能节省薄膜晶体管阵列基板的制作成本以及提高薄膜晶体管阵列基板的制作效率。

为解决上述问题，本发明的技术方案如下：

一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：一器件组合板，所述器件组合板包括：一基板；一第一信号线层；一半导体层；以及一第二信号线层；一钝化层，所述钝化层设置在所述器件组合板上，所述钝化层上设置有孔洞和凹槽阵列，所述凹槽阵列包括至少一凹槽；一像素电极层，所述像素电极层设置在所述钝化层上以及所述凹槽阵列内，所述像素电极层通过所述孔洞与所述第二信号线层连接。

在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述孔洞具有第一深度，所述凹槽具有第二深度；所述凹槽阵列和所述孔洞均是通过相同的光罩制程和蚀刻制程来形成的。

在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述光罩制程所对应的掩模包括：一第一区域，所述第一区域具有第一透光率，所述第一区域与所述孔洞对应，所述第一透光率与所述第一深度对应；至少一第二区域，所述第二区域具有第二透光率，所述第二区域与所述凹槽对应，所述第二透光率与所述第二深度对应。

在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述掩模为半色调掩模。

在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述凹槽阵列和所述孔洞是通过对所述钝化层上的光阻材料层进行所述光罩制程，以在所述光阻材料层上的第三区域和第四区域上分别形成第一凹陷和第二凹陷，并在所述第一凹陷和所述第二凹陷处对所述钝化层和所述光阻材料层进行蚀刻来形成的；其中，所述第三区域与所述第一区域对应，所述第四区域与所述第二区域对应，所述第一凹陷具有第三深度，所述第二凹陷具有第四深度。

一种上述薄膜晶体管阵列基板的制作方法，所述方法包括以下步骤：A、形成所述器件组合板，其中，所述器件组合板包括基板、第一信号线层、半导体层以及第二信号线层；B、在所述器件组合板上设置所述钝化层；C、对所述钝化层实施光罩制程和蚀刻制程，以使所述钝化层的表面上形成有一孔洞和一凹槽阵列，其中，所述凹槽阵列包括至少一凹槽；D、在所述钝化层的所述表面和所述凹槽阵列内设置像素电极层，其中，所述像素电极层通过所述孔洞与所述第二信号线层连接。

在上述薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述孔洞具有第一深度，所述凹槽具有第二深度；所述步骤C包括以下步骤：c1、在所述钝化层上通过相同的所述光罩制程和所述蚀刻制程来形成所述凹槽阵列和所述孔洞。

在上述薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述光罩制程所对应掩模包括：一第一区域，所述第一区域具有第一透光率，所述第一区域与所述孔洞对应，所述第一透光率与所述第一深度对应；至少一第二区域，所述第二区域具有第二透光率，所述第二区域与所述凹槽对应，所述第二透光率与所述第二深度对应。

在上述薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述掩模为半色调掩模。

在上述薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述步骤c1包括以下步骤：c11、在所述钝化层上设置光阻材料层；c12、对所述光阻材料层进行所述光罩制程，以在所述光阻材料层上的第三区域和第四区域上分别形成第一凹陷和第二凹陷，其中，所述第三区域与所述第一区域对应，所述第四区域与所述第二区域对应，所述第一凹陷具有第三深度，所述第二凹陷具有第四深度；c13、在所述第一凹陷和所述第二凹陷处对所述钝化层和所述光阻材料层进行蚀刻，以在所述钝化层上形成所述凹槽阵列和所述孔洞。

相对现有技术，本发明可以节约一道光罩制程，有利于节省所述薄膜晶体管阵列基板的制作成本，以及提高所述薄膜晶体管阵列基板的制作效率。