[发明专利]肖特基结的倒型的有机小分子薄膜太阳能电池及制备方法在审
申请号: | 201510406816.9 | 申请日: | 2015-07-13 |
公开(公告)号: | CN104966749A | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
发明(设计)人: | 钟建;干逢雨;王丽娟;程红雪 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/0216;H01L31/0248;H01L51/46;H01L31/18 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 杨保刚;晏辉 |
地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 肖特基结 有机 分子 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种肖特基结的倒型的有机小分子薄膜太阳能电池,其特征在于,采用倒型结构,从下到上依次为透明衬底、透明阴极电极、受体层、给体层、阳极修饰层和阳极电极,受体层为富勒烯衍生物、BBL、PTPTB或含芘酰亚胺聚合物中的一种或它们的混合,給体层为ZnPc或SubPc。
2.根据权利要求1所述的一种肖特基结的倒型的有机小分子薄膜太阳能电池,其特征在于,给体材料是:ZnPc。
3.根据权利要求2所述的一种肖特基结的倒型的有机小分子薄膜太阳能电池,其特征在于,给体层厚度为10-25 nm。
4.根据权利要求1所述的一种肖特基结的倒型的有机小分子薄膜太阳能电池,其特征在于,受体层为C60。
5.根据权利要求4所述的一种肖特基结的倒型的有机小分子薄膜太阳能电池,其特征在于,受体层厚度为30nm。
6.根据权利要求1所述的一种肖特基结的倒型的有机小分子薄膜太阳能电池,其特征在于,所述阳极修饰层为有机导电聚合物薄膜或金属氧化物薄膜,其中有机导电聚合物薄膜为PEDOT︰PSS或PANI类有机导电聚合物薄膜,金属氧化物薄膜为氧化钼薄膜或氧化镍薄膜。
7. 根据权利要求6所述的一种肖特基结的倒型的有机小分子薄膜太阳能电池,其特征在于,金属氧化物薄膜为MoO3。
8.根据权利要求1所述的一种肖特基结的倒型的有机小分子薄膜太阳能电池,其特征在于,透明衬底是玻璃或者柔性基片或者金属片;透明阳极电极是金属氧化物薄膜;阴极电极是锂、镁、钙、锶、铝或铟中的一种或由它们的合金。
9.根据权利要求1-8任一项所述的一种肖特基结的倒型的有机小分子薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,它包括以下步骤:
1)清洗由透明衬底及透明阳极电极ITO 所组成的基板,然后用氮气吹干;
2)在ITO上制备一层受体层;
3)在受体层上制备给体层;
4)在給体层上制备阳极修饰层;
5)在阳极修饰层上制备阳极电极;
在电子缓冲层上制备阴极电极。
10.根据权利要求9所述的一种肖特基结的倒型的有机小分子薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于,透明阴极电极,阳极修饰层和阴极电极通过真空热蒸镀、磁控溅射、等离子体增强的化学气相沉积、丝网印刷或打印中的一种方法制备;给体层,受体层和通过等离子体增强的化学气相沉积、热氧化、旋涂、真空蒸镀、滴膜、压印、印刷或气喷中的一种方法制备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的