[发明专利]Buck型双电源碳化硅双极性晶体管驱动电路及其控制方法

权利要求书

1.Buck型双电源碳化硅双极性晶体管驱动电路，其特征在于，包括：高压快速开通支路、低压驱动Buck电路、关断回路开关，其中，

所述高压快速开通支路：一端接高压电源，另一端接碳化硅双极性晶体管基极；

所述低压驱动Buck电路：输入端接低压电源，输出端接关断回路开关；

所述关断回路开关：一端与碳化硅双极性晶体管基极连接，另一端与碳化硅双极性晶体管发射极连接。

2.根据权利要求1所述的Buck型双电源碳化硅双极性晶体管驱动电路，其特征在于，所述低压驱动Buck电路包括：低压侧开关管（S₃）、续流二极管（D₁）、电感（L）、防反流二极管（D₂），其中，

所述低压侧开关管（S₃）：一端接低压电源正极，另一端与电感（L）一端、续流二极管阴（D₁）极相连；

所述防反流二极管（D₂）：阳极与关断回路开关一端连接；

所述续流二极管（D₁）阳极、关断回路开关另一端均与低压电源负极相连接。

3.根据权利要求2所述的Buck型双电源碳化硅双极性晶体管驱动电路，其特征在于，所述高压快速开通支路包括：高压侧第一开关管（S_1H）、高压侧第二开关管（S_2H）、电阻（R_BH）、储能电容（C_BH），其中，

所述高压侧第一开关管（S_1H）：一端接高压电源，另一端与高压侧第二开关管（S_2H）一端、电阻（R_BH）一端相连；

所述电阻（R_BH）：另一端与储能电容（C_BH）一极连接；

所述高压侧第二开关管（S_2H）另一端接地，储能电容（C_BH）另一极接碳化硅双极性晶体管基极。

4.根据权利要求1或2或3所述的Buck型双电源碳化硅双极性晶体管驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括：输入端接碳化硅双极性晶体管发射极、输出端接低压驱动Buck电路控制端的电流控制电路。

5.权利要求3所述Buck型双电源碳化硅双极性晶体管驱动电路的控制方法，其特征在于，包括如下步骤：

在碳化硅双极性晶体管开通的瞬间：闭合高压侧第一开关管（S_1H）由高压快速开通支路提供碳化硅双极性晶体管导通的基极电流；

在碳化硅双极性晶体管开通后：闭合低压侧开关管（S₃）由低压驱动Buck电路向碳化硅双极性晶体管提供基极电流；

在碳化硅双极性晶体管关断时：关断高压侧第一开关管（S_1H）、低压侧开关管（S₃），闭合高压侧第二开关管（S_2H）、关断回路开关，储能电容（C_BH）经过电阻（R_BH）以及高压侧第二开关管（S_2H）放电，电感（L）电流经防反流二极管（D₂）、关断回路开关减小到零。

6.根据权利要求5所述的控制方法，其特征在于，闭合或关断低压侧开关管（S₃）的方法为：利用电流控制电路实时采样碳化硅双极性晶体管的发射极电流以控制低压侧开关管（S₃）的占空比。