[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

(a)具有一对长边和一对短边的大致矩形形状的半导体衬底；

(b)沿长边方向排列的多个内部电路，每个内部电路包括形成在所述半导体衬底之上的多个MISFET；

(c)多个二极管，形成在所述半导体衬底之上，各个所述多个二极管被构成为保护所述内部电路免遭静电破坏的保护电路；

(d)第一绝缘膜，形成在所述半导体衬底之上以覆盖所述多个MISFET和所述多个二极管；以及

(e)多个突起电极，形成在所述第一绝缘膜之上，所述多个突起电极沿所述一对长边的第一长边配置，

其中，所述多个突起电极是用于从外部器件接收输入信号的突起电极，

其中，各个所述多个二极管被电连接在各个所述多个突起电极和所述内部电路之间，

其中，所述多个二极管包括第一二极管和第二二极管，

其中，与第一突起电极中的一部分第一突起电极电连接的第一二极管配置在与所述一部分第一突起电极平面重合的位置；

其中，与所述第一突起电极中的另一部分第一突起电极电连接的第二二极管配置在和与所述另一部分第一突起电极平面重合的位置不同的位置；并且

其中所述多个二极管配置于在沿长边方向排列的内部电路之间的空间里。

2.如权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二二极管被配置成在沿平面视图中的所述半导体衬底的所述一对短边的第一方向上比所述多个突起电极更靠所述半导体衬底的内侧。

3.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

(f)其他多个二极管，形成在所述半导体衬底之上，各个所述其他多个二极管被构成为保护所述内部电路免遭静电破坏的其他保护电路；

(g)其他多个突起电极，形成在所述第一绝缘膜之上，所述其他多个突起电极沿所述一对长边的第二长边配置，

其中，所述其他多个突起电极是用于向另外的外部器件发送输出信号的突起电极，并且

其中，各个所述其他多个二极管电连接在各个所述其他多个突起电极和所述内部电路之间。

4.如权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述其他多个二极管被配置在与所述其他多个突起电极平面重合的位置上。

5.如权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述多个突起电极呈直线状配置，所述其他多个突起电极呈交错状配置。

6.如权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述半导体器件为驱动液晶显示器件的液晶显示器件驱动器。

7.一种半导体器件，包括：

(a)具有一对长边和一对短边的大致矩形形状的半导体衬底；

(b)沿长边方向排列的多个内部电路，每个内部电路包括形成在所述半导体衬底之上的多个第一MISFET；

(c)多个第二MISFET，形成在所述半导体衬底之上，各个所述多个第二MISFET被构成为保护所述内部电路免遭静电破坏的保护电路；

(d)第一绝缘膜，形成在所述半导体衬底之上以覆盖所述多个第一MISFET和所述多个第二MISFET；以及

(e)多个突起电极，形成在所述第一绝缘膜之上，所述多个突起电极沿所述一对长边的第一长边配置，

其中，所述多个突起电极是用于从外部器件接收输入信号的突起电极，

其中，各个所述多个第二MISFET被电连接在各个所述多个突起电极和所述内部电路之间，

其中，所述多个第二MISFET包括第四MISFET和第五MISFET，

其中，与所述突起电极中的一部分突起电极电连接的第四MISFET配置在与所述一部分突起电极平面重合的位置；

其中，与所述突起电极中的另一部分突起电极电连接的第五MISFET配置在和与所述另一部分突起电极平面重合的位置不同的位置；并且

其中所述多个第二MISFET配置于在沿长边方向排列的内部电路之间的空间里。