[发明专利]分割薄半导体衬底的方法

权利要求书

1.一种使用激光能量分割多个集成器件的方法，该多个集成器件包含在半导体衬底中，该方法包含有以下步骤：

将激光源产生的第一激光束投射在沿着衬底分布的切割线上，以烧蚀衬底沿着待分割的切割线分布的局部，该被烧蚀的衬底的局部相邻于已被分割的衬底的切割线处形成有重塑材料；以及

将激光源产生的复数个第二激光束投射在衬底相邻于切割线的另一个局部，以对在切割线的第一侧相邻于切割线所形成的重塑材料进行热处理；

其中，对重塑材料进行热处理的复数个第二激光束各自具有的能级都低于第一激光束的能级；

将由激光源产生的复数个第三激光束投射在位于切割线和复数个第二激光束投射第一侧相对的第二侧的、相邻于切割线的衬底的局部，以便于在切割线的两侧进行所形成的重塑材料的热处理。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在将复数个第二激光束投射以对重塑材料进行热处理以前，通过第一激光束所形成的重塑材料被考虑有充分的时间固化。

3.如权利要求1所述的方法，该复数个第二激光束包括为已经散焦以降低其强度的第一激光束。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该第一激光束和第二激光束被同时投射在衬底上。

5.如权利要求4所述的方法，其中，该第一激光束和第二激光束被设置来通过衍射光学器件同时形成在衬底的各个局部。

6.如权利要求4所述的方法，其中，该第一激光束设置在复数个第二激光束之前，并在该第一激光束和第二激光束相对于衬底移动的方向上领先于第二激光束。

7.如权利要求6所述的方法，其中，该第一激光束而不是复数个第二激光束被配置来具有足够的能量水平，以产生充分的融熔和汽化而将衬底分割。

8.如权利要求7所述的方法，其中，第一激光束、第二激光束、第三激光束被同时投射在各自的衬底的局部。

9.如权利要求8所述的方法，其中，第一激光束、第二激光束、第三激光束以V型配置的方式被设置在一起。

10.如权利要求9所述的方法，其中，第一激光束、第二激光束、第三激光束通过衍射光学器件形成图案，在此，第二切割线的分割还包含有以下步骤：

转动衍射光学器件，相对于衍射光学器件在沿着第一切割线分割时移动的反方向移动衬底，以便于沿着第二切割线分割衬底。

11.如权利要求8所述的方法，该方法还包含有：相对于第一激光束、第二激光束、第三激光束设置有额外的激光束，以形成X型配置。

12.如权利要求11所述的方法，其中，激光束的能量水平分布是如此设置以致于设置在切割线的中央激光束的能量水平高于远离切割线设置的激光束的能量水平。

13.如权利要求1所述的方法，该方法还进一步包含有以下步骤：

除了第一激光束之外，还通过将一个或多个激光束投射在衬底的切割线上的方式，融熔沿着待分割的切割线分布的衬底的局部。