[发明专利]低衰减架空式四芯用户引入电缆

权利要求书

1.一种低衰减架空式四芯用户引入电缆，其特征在于：包括4根铜镁合金导体（1），此铜镁合金导体（1）外表面包覆有聚乙烯层（2）形成导线（3），4根所述导线（3）两两绞合形成第一绞线对（41）、第二绞线对（42），一铝箔（5）绕包于所述绞线对（4）外表面，一聚氯乙烯层（6）包覆于所述铝箔（5）外表面，一聚乙烯护套层（7）包覆于所述聚氯乙烯层（6）外表面；

所述铜镁合金导体（1）由以下重量份的组分组成：

铜80~90份，

镁0.5~2份，

锌1.5~3份，

硅0.04~0.06份，

铁1~1.3份，

铜0.18~0.28份，

稀土元素0.08~0.1份，

硼0.015~0.03份，

钛0.01~0.02份，

铍0.01~0.02份；

所述稀土元素由镧、铈和钪组成，且所述镧、铈和钪按照10：4：1重量份比例混合形成所述稀土元素。

2.根据权利要求1所述的低衰减架空式四芯用户引入电缆，其特征在于：所述镁合金导体（1）通过以下工艺获得，此工艺包括以下步骤：

步骤一、将镁0.5~2份投入熔炉中，加热使之熔化并在780~820℃下保温，并调整真空度为0.1~0.3Pa，然后加入铜80~90份和锌1.5~3份，迅速升温至1250℃~1280℃，充分熔化并充分搅拌均匀，搅拌时间≥30min，静置保温，获得合金熔体；

步骤二、将温度降至1150℃~1180℃，将硅0.04~0.06份、铁1~1.3份、铜0.18~0.28份、稀土元素0.08~0.1份、硼0.015~0.03份、钛0.01~0.02份、铍0.01~0.02份投入熔炉中，加热使之熔化后，在并在1150℃~1180℃下保温，并调整真空度为0.1~0.3Pa，静置保温，获得合金熔体；

步骤三、将结晶器直接伸入合金熔体中，采用上引连铸的方法，将合金熔体上引连铸成铜镁合金杆，上引连铸时采用木炭隔氧，水隔套冷却；

步骤四、连接挤压和多道次拉拔，将铜镁合金杆进行连接挤压和多道次拉拔，形成铜镁合金单丝坯料；

步骤五、拉丝，采用拉丝机将铜镁合金单丝坯料进行多道次拉丝，制成规定尺寸的镁合金导体（1）。

3.根据权利要求2所述的低衰减架空式四芯用户引入电缆，其特征在于：所述步骤二中稀土元素由镧、铈和钪组成，且所述镧、铈和钪按照10：4：1重量份比例混合形成所述稀土元素。

4.根据权利要求1所述的低衰减架空式四芯用户引入电缆，其特征在于：所述四根导线（3）两两绞合分别形成第一绞线对（41）、第二绞线对（42），此第一绞线对（41）、第二绞线对（42）的绞合节距为3~5cm。