[发明专利]一种氧化石墨烯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种氧化石墨烯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，配置溶液：

将片状氧化石墨烯加入N,N-二甲基甲酰胺中，配置成氧化石墨烯质量百分比为0.01％-0.02％的氧化石墨烯/N,N-二甲基甲酰胺悬浮液，对氧化石墨烯/N,N-二甲基甲酰胺悬浮液进行超声分散；将聚偏氟乙烯粉末溶解于N,N-二甲基甲酰胺中，配置成聚偏氟乙烯质量百分比为2.50％-3.00％的聚偏氟乙烯/N,N-二甲基甲酰胺溶液；

步骤2，共溶剂法制备氧化石墨烯/聚偏氟乙烯混合溶液：

按照去离子水与氧化石墨烯/N,N-二甲基甲酰胺悬浮液的体积比为1:5～6的比例，将去离子水与步骤1的氧化石墨烯/N,N-二甲基甲酰胺悬浮液混合，得到混合液a，对混合液a进行超声分散；再按照混合液a与聚偏氟乙烯/DMF溶液的体积比为1:3～3.5的比例，将步骤1的聚偏氟乙烯/N,N-二甲基甲酰胺溶液与混合液a混合，得到混合液b，混匀后对混合液b进行超声分散；

步骤3，聚合物薄膜的制备：

将步骤2分散好的混合液b浇注于玻璃基片上，置于真空烘箱中烘干后，将真空烘箱内的温度降低至室温，取出玻璃基片，将玻璃基片上得到的聚合物薄膜剥离下来，得到氧化石墨烯/聚偏氟乙烯复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的氧化石墨烯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1所述片状氧化石墨烯为厚度0.8-1.2um、单层比率＞99％、纯度＞99％的氧化石墨烯。

3.根据权利要求1所述的氧化石墨烯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1所述超声分散具体为：在温度55-65℃、功率130-170W条件下超声分散5-6h。

4.根据权利要求1所述的氧化石墨烯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2所述对混合液a超声分散具体为：在温度35-45℃、功率130-170W条件下超声分散1-2h。

5.根据权利要求1所述的氧化石墨烯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2所述对混合液b超声分散具体为：在温度35-45℃、功率130-170W条件下超声分散1-2h。

6.根据权利要求1所述的氧化石墨烯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3所述烘干温度为110-120℃。

7.根据权利要求1所述的氧化石墨烯/聚偏氟乙烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3所述真空烘箱内的温度降低速率为：每隔15-30min将真空烘箱内温度降低10℃。