[发明专利]包含嵌段共聚物的自组装结构和膜以及通过旋涂法(IIIa)制备它们的方法

权利要求书

1.一种制备包含式(I)的二嵌段共聚物的自组装结构的方法：

其中：

R1是式-(CHR-CH2-O)p-R’的聚(氧化亚烷基)基团，其中p＝2-6，R是H或甲基，以及R’是氢、C1-C6烷基或者C3-C11环烷基；

R2是C6-C20芳基或杂芳基，可选地被选自羟基、氨基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代；

R3和R4之一是C6-C14芳基，可选地被选自羟基、卤素、氨基以及硝基的取代基所取代，以及R3和R4的另一个是C1-C22烷氧基，可选地被选自羧基、氨基、巯基、炔基、烯基、卤素、叠氮基以及杂环基的取代基所取代；

n和m独立地是10至2000；其中带有R1的单体的体积分数与带有R2单体的比为15:85至30:70；

该方法包含：

(i)将二嵌段共聚物溶解于溶剂体系中以获得聚合物溶液；

(ii)将聚合物溶液旋涂到基材上；

(iii)将(ii)中所得涂层退火以获得自组装结构；以及，可选地，

(iv)洗涤(ii)中所得自组装结构。

2.根据权利要求1的方法，其中，R是H。

3.根据权利要求1或2的方法，其中，p是3-6。

4.根据权利要求1或2的方法，其中，R’是C1-C6烷基。

5.根据权利要求1或2的方法，其中，R’是甲基。

6.根据权利要求1或2的方法，其中，R2是苯基，可选地被选自羟基、氨基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基以及硝基的取代基所取代。

7.根据权利要求1或2的方法，其中，R3是苯基。

8.根据权利要求1或2的方法，其中，R4是C1-C6烷氧基。

9.根据权利要求1或2的方法，其中，n是30至350以及m是150至1775。