[发明专利]用于薄膜晶体管的铝基板

权利要求书

1.—种器件，包括：

a.由再结晶铝合金构成的基板；

b.位于该铝基板的顶表面上的有机聚合物；

c.位于该有机聚合物上的SiO₂、SiN和Al₂O₃之一的层；以及

d.至少一个电极，其附着于所述SiO₂、SiN和Al₂O₃之一的层。

2.如权利要求1的器件，其中该基板包括下列之一：AA1xxx、3xxx、5xxx和8xxx。

3.如权利要求1的器件，其中所述再结晶铝合金具有0状态。

4.如权利要求1的器件，其中所述有机聚合物具有在800至2000道尔顿范围内的分子量。

5.如权利要求1的器件，其中所述有机聚合物具有在1000至2000道尔顿范围内的分子量。

6.如权利要求1的器件，其中所述有机聚合物包括下列中的—种：环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酯和乙烯基树脂。

7.如权利要求1的器件，其中所述基板具有在0.005英寸-0.020英寸的范围内的厚度。

8.如权利要求1的器件，其中所述基板具有在0.006英寸-0.020英寸的范围内的厚度。

9.如权利要求1的器件，其中所述有机聚合物具有在2.5-50微米的范围内的厚度。

10.如权利要求1的器件，其中所述有机聚合物具有在5-12微米的范围内的厚度。

11.如权利要求1的器件，其中所述SiO₂、SiN和Al₂O₃之一的层具有在750-1500埃范围内的厚度。

12.如权利要求1的器件，其中所述SiO₂、SiN和Al₂O₃之一的层具有在1000-1250埃范围内的厚度。

13.如权利要求1的器件，其中该器件包括薄膜晶体管。

14.—种方法，包括：

a.在铝基板上沉积有机聚合物；

b.退火该铝基板；

c.在该有机聚合物上沉积SiO₂、SiN和Al₂O₃之一的层；以及

d.将电极附着至所述SiO₂、SiN和Al₂O₃之一的层。

15.如权利要求17的方法，其中该铝基板包括：

a.顶表面；以及

b.顶表面上的孔。

16.如权利要求17的方法，其中所述铝基板在退火前具有H状态并且在退火后具有0状态。

17.如权利要求17的方法，其中退火包括将铝基板加热到550°F至650°F范围内的温度持续2小时至4小时。

18.如权利要求17的方法，其中沉积有机聚合物包括下列之一：辊涂、逆向辊涂、狭缝模具式涂覆、幕涂和喷涂。

19.如权利要求17的方法，其中沉积所述SiO₂、SiN和Al₂O₃之一的层包括RF溅射。

20.如权利要求17的方法，该方法还包括：在步骤a.在铝基板上沉积有机聚合物之前，精加工该铝基板以具有25至100nm范围内的Ra值。