[发明专利]一种图像传感器的晶圆级封装方法及其封装品

权利要求书

1.一种图像传感器的晶圆级封装方法，其特征是该方法包括以下步骤：

a、将图像传感器芯片（1）的上表面和信号处理芯片（2）的下表面键合在一起；

b、对图像传感器芯片（1）的下表面进行减薄抛光，减薄抛光后在图像传感器芯片（1）上添加彩色滤光片（3）和微透镜（4），然后移除掉图像传感器芯片（1）的切割道部分，露出信号处理芯片（2）的切割道；

c、取透明基板（5），透明基板（5）与信号处理芯片（2）通过支撑墙（6）键合在一起，支撑墙（6）位于信号处理芯片（2）的切割道里；

d、对信号处理芯片（2）的上表面进行减薄抛光，减薄抛光后在信号处理芯片（2）上做出引线（7）和焊球（8）；

e、沿着信号处理芯片（2）的切割道位置进行划片，得到可直接进行贴装的单一芯片。

2.如权利要求1所述的一种图像传感器的晶圆级封装方法，其特征是：所述c具体为以透明基板（5）为衬底，在透明基板（5）的上表面做出支撑墙（6），在支撑墙（6）的墙顶涂键合胶后与切割道内的信号处理芯片（2）键合在一起。

3.如权利要求1所述的一种图像传感器的晶圆级封装方法，其特征是：所述c具体为在信号处理芯片（2）的切割道内做出支撑墙（6），支撑墙（6）的墙底涂键合胶后与所取的透明基板（5）键合在一起。

4.如权利要求2或3所述的一种图像传感器的晶圆级封装方法，其特征是：所述键合胶为热固型胶或者光固型胶，通过激光或者红外线照射后该胶失去粘性。

5.如权利要求1所述的一种图像传感器的晶圆级封装方法，其特征是：a中，图像传感器芯片（1）的上表面和信号处理芯片（2）的下表面通过铜氧混合键合方式、直接硅硅键合方式、硅氧键合方式或者氧氧键合方式键合在一起。

6.如权利要求1所述的一种图像传感器的晶圆级封装方法，其特征是：b中，通过黄光、刻蚀或者直接切割移除掉图像传感器芯片（1）的切割道部分。

7.如权利要求1所述的一种图像传感器的晶圆级封装方法，其特征是：所述透明基板（5）为有机玻璃基板、无机玻璃基板、陶瓷基板、塑料基板、有机薄膜或者硅片，透明基板（5）厚度为50μm~500μm。

8.如权利要求1所述的一种图像传感器的晶圆级封装方法，其特征是：所述支撑墙（6）是正光阻或者负光阻通过光阻涂布、曝光、或者显影过程产生的图形，然后固化形成的光阻线，且支撑墙（6）为单层的或者多层的；或者，支撑墙（6）是直接粘附、涂布或者沉积的材质为聚丙烯酸酯或者聚异戊二烯橡胶的薄膜，该薄膜通过黄光和刻蚀工艺形成的线条，且支撑墙（6）为单层的或者多层的。

9.如权利要求1所述的一种图像传感器的晶圆级封装方法，其特征是：步骤d中，信号处理芯片（2）减薄后的厚度控制在20~150μm。

10.一种图像传感器的晶圆级封装品，其特征是：它包括图像传感器芯片（1）、信号处理芯片（2）、彩色滤光镜（3）、微透镜（4）、透明基板（5）、支撑墙（6）、引线（7）与焊球（8）；在图像传感器芯片（1）内设有彩色滤光镜（3）与微透镜（4），信号处理芯片（2）的下表面与图像传感器芯片（1）的上表面相连，在图像传感器芯片（1）的下方设有透明基板（5），在信号处理芯片（2）的基板层的下表面连接有支撑墙（6），支撑墙（6）的下端部与透明基板（5）的上表面相连，图像传感器芯片（1）的下表面与透明基板（5）的上表面之间存在间隙，在信号处理芯片（2）的基板层内设有引线（7），在引线（7）的上表面设有焊球（8）。