[发明专利]电子开关元件和集成传感器有效

专利信息
申请号: 201510410610.3 申请日: 2015-07-14
公开(公告)号: CN105281730B 公开(公告)日: 2018-12-25
发明(设计)人: A.格拉斯曼;G.朗古特;W.勒斯纳;S.维尔科费尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 王岳;徐红燕
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要:
搜索关键词: 电子 开关 元件 集成 传感器
【权利要求书】:

1.一种用于半导体的静电放电稳定性的电路,包括:

- 电子开关元件,

- 集成温度传感器,被布置在所述电子开关元件附近并且包括至少两个二极管的串联连接和附加二极管,所述附加二极管跨所述至少两个二极管的所述串联连接被反并联连接,以及

- 从所述集成温度传感器的端子中的一个到电子开关元件的端子中的一个的低阻抗路径。

2.根据权利要求1所述的电路,其中集成温度传感器是电子开关元件的一部分。

3.根据权利要求1所述的电路,其中电子开关元件和集成温度传感器被布置在单一芯片上。

4.根据权利要求1所述的电路,其中电子开关元件和集成温度传感器被布置在单一芯片上,并且被至少一个电介质分离,其中所述至少一个电介质包括至少一个介电层。

5.根据权利要求1所述的电路,其中电子开关元件是垂直元件,包括

- 控制端子,

- 第一端子,以及

- 第二端子,

- 其中,第一和第二端子经由施加于控制端子的信号被电耦合。

6.根据权利要求1所述的电路,其中电子开关元件包括以下各项中的至少一个:

- 晶体管;

- 二极管;或

- 垂直元件。

7.根据权利要求6所述的电路,其中所述晶体管包括:

- MOSFET;

- IGBT;或

- JFET。

8.根据权利要求1所述的电路,其中集成温度传感器进一步包括连接至少两个导电元件的阻挡层,以及,

- 所述阻挡层具有正温度系数。

9.根据权利要求8所述的电路,其中阻挡层包括以下各项中的至少一个:

- 镍;

- 铝;

- 铁;

- 坡莫合金;

- 铍;

- 钛;

- 氮化钛;

- 钨;

- 钛钨;

- 钽;

- 氮化钽;或

- 铜。

10.根据权利要求1所述的电路,其中,经由连接到电子开关元件的发射极或源极的集成温度传感器的一个端子来提供低阻抗路径。

11.根据权利要求1所述的电路,其中,通过经由附加电路连接到电子开关元件的发射极或源极的集成温度传感器的一个端子来提供低阻抗路径,所述附加电路即为至少两个二极管的串联连接和附加二极管,所述附加二极管跨所述至少两个二极管的所述串联连接被反并联连接。

12.根据权利要求1所述的电路,其中,经由欧姆电阻来提供低阻抗路径。

13.根据权利要求1所述的电路,其中,经由至少一个附加电子开关元件来提供低阻抗路径。

14.根据权利要求13所述的电路,

- 其中,所述集成温度传感器的端子中的一个被连接到附加电子开关元件的发射极或源极,

- 其中,所述集成温度传感器的端子中的其它端子被连接到附加电子开关元件的基极或栅极,以及

- 其中,附加电子开关元件的集电极或漏极被连接到电子开关元件的集电极或漏极。

15.根据权利要求1所述的电路,

- 其中,经由第一附加电子开关元件并经由第二附加电子开关元件来提供低阻抗路径,

- 其中,所述集成温度传感器的端子中的一个被连接到第一附加电子开关元件的发射极或源极并且到第二附加电子开关元件的基极或栅极,

- 其中,所述集成温度传感器的端子中的其它端子被连接到第一附加电子开关元件的基极或栅极并且到第二附加开关元件的发射极或源极,以及

- 其中,第一附加电子开关元件的集电极或漏极和第二附加开关元件的集电极或漏极被连接到电子开关元件的集电极或漏极。

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