[发明专利]TFT基板结构及其制作方法

权利要求书

1.一种TFT基板结构，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的栅极(2)、设于所述基板(1)上覆盖所述栅极(2)的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上的有源层(4)、及设于所述有源层(4)上的第二金属层(5)；

所述第二金属层(5)包括一对应于所述栅极(2)上方的第一条形通道(51)、及分别设于所述第一条形通道(51)两侧的源极(52)与漏极(53)；

所述有源层(4)包括非晶硅层(41)及设于所述非晶硅层(41)上的金属氧化物半导体层(42)；所述金属氧化物半导体层(42)包括一对应于所述第一条形通道(51)的第二条形通道(421)、及设于所述第二条形通道(421)两侧且分别对应所述源、漏极(52、53)的第一、第二金属氧化物半导体段(422、423)；所述非晶硅层(41)上对应于所述第二条形通道(421)下方的位置形成沟道区(415)，所述非晶硅层(41)上位于沟道区(415)的部分经蚀刻制程，厚度小于其它区域的厚度；

所述源极(52)与漏极(53)分别与所述第一金属氧化物半导体段(422)、及第二金属氧化物半导体段(423)的表面相接触，且所述源极(52)与第一金属氧化物半导体段(422)在基板(1)上分布的面积相同，所述漏极(53)与第二金属氧化物半导体段(423)在基板(1)上分布的面积相同。

2.如权利要求1所述的TFT基板结构，其特征在于，所述金属氧化物半导体层(42)的材料为IGZO。

3.一种TFT基板结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极(2)；

步骤2、依次在所述基板(1)与栅极(2)上沉积栅极绝缘层(3)、非晶硅层(41)、金属氧化物半导体层(42)、及第二金属层(5)；所述非晶硅层(41)与金属氧化物半导体层(42)构成有源层(4)；

步骤3、采用一道光刻制程对所述第二金属层(5)及金属氧化物半导体层(42)进行图案化处理；在所述第二金属层(5)上形成一对应于所述栅极(2)上方的第一条形通道(51)、及分别设于所述第一条形通道(51)两侧的源极(52)与漏极(53)；在所述金属氧化物半导体层(42)上形成一对应于所述第一条形通道(51)的第二条形通道(421)、及分别设于所述第二条形通道(421)两侧的第一金属氧化物半导体段(422)、及第二金属氧化物半导体段(423)；所述非晶硅层(41)上对应于所述第二条形通道(421)下方的位置形成沟道区(415)，且所述非晶硅层(41)上位于沟道区(415)的厚度等于其它区域的厚度；

所述源极(52)与漏极(53)分别与所述第一金属氧化物半导体段(422)、及第二金属氧化物半导体段(423)的表面相接触，且所述源极(52)与第一金属氧化物半导体段(422)在基板(1)上分布的面积相同，所述漏极(53)与第二金属氧化物半导体段(423)在基板(1)上分布的面积相同；

还包括步骤4’、以所述源、漏极(52、53)、及第一、第二金属氧化物半导体段(422、423)为刻蚀阻挡层，对位于沟道区(415)的非晶硅层(41)进行部分蚀刻，从而使得所述非晶硅层(41)上位于沟道区(415)的厚度小于其它区域的厚度。

4.如权利要求3所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤2采用化学气相沉积法沉积所述栅极绝缘层(3)、及非晶硅层(41)，采用物理气相沉积法沉积所述金属氧化物半导体层(42)。

5.如权利要求3所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤3采用湿法蚀刻制程对所述第二金属层(5)及金属氧化物半导体层(42)进行图案化处理。

6.如权利要求3所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤4’采用干法蚀刻制程对位于沟道区(415)的非晶硅层(41)进行蚀刻。

7.如权利要求3所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，所述基板(1)为玻璃基板，所述栅极(2)的材料为钼、钛、铝和铜中的一种或多种的堆栈组合。

8.如权利要求3所述的TFT基板结构的制作方法，其特征在于，所述 步骤2中，所述金属氧化物半导体层(42)的材料为IGZO。