[发明专利]超级结半导体器件有效
| 申请号： | 201510412322.1 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105280688B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 禹赫;金大柄;崔彰容;姜棋太;全珖延;赵文秀;权纯琢 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 韩国忠清*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超级 半导体器件 | ||
1.一种超级结半导体器件，包括：
有源区；
垂直柱区域，位于有源区上；
第一终止区和第二终止区，围绕有源区；
第一水平柱区域，位于第一终止区上；
第二水平柱区域，位于第二终止区上，
其中，第一水平柱区域、第二水平柱区域和垂直柱区域彼此连接，
其中，所述第一水平柱区域的边缘与外延层邻接，
其中，氧化层位于所述外延层表面上，
其中，所述第一水平柱区域的顶部的水平柱与所述氧化层接触。
2.如权利要求1所述的超级结半导体器件，其中，超级结半导体器件在第一终止区和第二终止区上不具有处于浮置状态的柱区域。
3.如权利要求1所述的超级结半导体器件，其中，第一水平柱区域、第二水平柱区域和垂直柱区域位于所述外延层上。
4.如权利要求3所述的超级结半导体器件，还包括：
多晶硅栅极，位于氧化物层上。
5.如权利要求4所述的超级结半导体器件，其中，多晶硅栅极位于垂直柱区域的上部上。
6.如权利要求3所述的超级结半导体器件，其中，第一水平柱区域和第二水平柱区域被连接。
7.如权利要求6所述的超级结半导体器件，其中，第一终止区和第二终止区水平地连接。
8.如权利要求3所述的超级结半导体器件，其中，第二水平柱区域和垂直柱区域被连接。
9.如权利要求3所述的超级结半导体器件，其中，第一水平柱区域的数量和第二水平柱区域的数量相同。
10.如权利要求1所述的超级结半导体器件，其中，第一水平柱区域和第二水平柱区域在垂直方向上连续形成。
11.如权利要求1所述的超级结半导体器件，其中，第一水平柱区域或第二水平柱区域水平地形成，并且第一水平柱区域和第二水平柱区域彼此连接。
12.如权利要求11所述的超级结半导体器件，还包括：垂直方向上的连接结构，通过控制外延层的厚度、离子注入阻止掩模的长度和掺杂物的离子注入被应用的区域的长度中的至少一个而被形成。
13.如权利要求7所述的超级结半导体器件，还包括：垂直方向上的连接结构，通过控制离子注入阻止掩模的长度和掺杂物的离子注入被应用的区域的长度中的至少一个而被形成。
14.一种超级结半导体器件，包括：
有源区，包括垂直柱区域并被第一终止区和第二终止区围绕，第一终止区包括第一水平柱区域，第二终止区包括第二水平柱区域，
其中，第一水平柱区域、第二水平柱区域和垂直柱区域彼此连接，
其中，所述第一水平柱区域的边缘与外延层邻接，
其中，氧化层位于所述外延层表面上，
其中，所述第一水平柱区域的顶部的水平柱与所述氧化层接触。
15.如权利要求14所述的超级结半导体器件，其中，超级结半导体器件在第一终止区和第二终止区上不具有处于浮置状态的柱区域。
16.如权利要求14所述的超级结半导体器件，其中，第一水平柱区域、第二水平柱区域和垂直柱区域在所述外延层上形成。
17.如权利要求16所述的超级结半导体器件，还包括：
多晶硅栅极，位于氧化物层上。
18.如权利要求17所述的超级结半导体器件，其中，多晶硅栅极位于垂直柱区域的上部上。
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